Транзисторлар - биполярлы (BJT) - жалғыз | Дискретті жартылай өткізгіш өнімдер | 11

2SA1930(Q,M)

Қоршаған бөлік: 150987

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 180V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 5µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1887(F)

Қоршаған бөлік: 6584

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 10A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 5A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1244-Y(Q)

Қоршаған бөлік: 6565

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 5A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1242-Y(Q)

Қоршаған бөлік: 6708

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 5A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y,T6F(J

Қоршаған бөлік: 6350

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3328-Y,HOF(M

Қоршаған бөлік: 6392

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 80V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y,WNLF(J

Қоршаған бөлік: 6324

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-Y(T6DNS,FM

Қоршаған бөлік: 6336

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 160V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,USNHF(M

Қоршаған бөлік: 6349

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 800mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-O(ND1,AF)

Қоршаған бөлік: 6343

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1586-GR,LF

Қоршаған бөлік: 140733

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3265-Y,LF

Қоршаған бөлік: 142540

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 800mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 25V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162-O,LF

Қоршаған бөлік: 116579

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3325-O(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 147650

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1588-Y,LF

Қоршаған бөлік: 193749

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162S-Y, LF(D

Қоршаған бөлік: 5659

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793(F,M)

Қоршаған бөлік: 163735

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 230V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5200-O(Q)

Қоршаған бөлік: 22720

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 15A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 230V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 5µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837(F,M)

Қоршаған бөлік: 96385

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 230V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1313-O(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 166553

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4738-GR,LF

Қоршаған бөлік: 198197

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-Y,LF

Қоршаған бөлік: 109658

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-O(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 189229

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5232BTE85LF

Қоршаған бөлік: 5292

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 12V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4738-BL(TE85L,F

Қоршаған бөлік: 6617

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1955FVBTPL3Z

Қоршаған бөлік: 123818

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 400mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 12V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1955FVATPL3Z

Қоршаған бөлік: 148939

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 400mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 12V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5549,T6F(J

Қоршаған бөлік: 5308

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 400V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 25mA, 200mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 40mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5459(TOJS,Q,M)

Қоршаған бөлік: 5238

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 3A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 400V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.2A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 300mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3672-O(T2ASH,FM

Қоршаған бөлік: 5234

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 300V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,YHF(J

Қоршаған бөлік: 5270

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 230V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,WNLF(J

Қоршаған бөлік: 5274

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 230V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4604,T6F(J

Қоршаған бөлік: 5285

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 3A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6KMATFM

Қоршаған бөлік: 5224

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 800mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6MITIFM

Қоршаған бөлік: 5266

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 150V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6MIT1FM

Қоршаған бөлік: 5302

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 150V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі