Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Транзисторлар - биполярлы (BJT) - жалғыз

  • Үй
  •  
  • Транзисторлар - биполярлы (BJT) - жалғыз
2SA949-Y,ONK-1F(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,ONK-1F(M

Қоршаған бөлік: 6969

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 150V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
2SA965-O(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O(TE6,F,M)

Қоршаған бөлік: 7016

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 800mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі
2SA949-Y,ONK-1F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,ONK-1F(J

Қоршаған бөлік: 6976

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 150V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
2SA949-Y,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,F(J

Қоршаған бөлік: 6938

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 150V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
2SA949-Y(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(TE6,F,M)

Қоршаған бөлік: 6937

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 150V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
2SA949-Y(T6SHRP,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6SHRP,FM

Қоршаған бөлік: 6975

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 150V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
2SA949-Y(T6ONK1,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6ONK1,FM

Қоршаған бөлік: 6952

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 150V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
2SA949-Y(T6JVC1,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6JVC1,FM

Қоршаған бөлік: 7006

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 150V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
2SA949-O(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-O(TE6,F,M)

Қоршаған бөлік: 6949

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 150V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
2SA949-Y(JVC1,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(JVC1,F,M)

Қоршаған бөлік: 6969

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 150V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
2SA1972,T6WNLF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1972,T6WNLF(J

Қоршаған бөлік: 5673

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 400V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 10µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V,

Тілектер тізімі
2SA1972,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1972,F(J

Қоршаған бөлік: 6973

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 400V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 10µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V,

Тілектер тізімі
2SA1931,SINFQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,SINFQ(J

Қоршаған бөлік: 7026

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 5A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Тілектер тізімі
2SA1931,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,Q(J

Қоршаған бөлік: 6986

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 5A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Тілектер тізімі
2SA1931,NIKKIQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NIKKIQ(J

Қоршаған бөлік: 6951

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 5A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Тілектер тізімі
2SA1931,NSEIKIQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NSEIKIQ(J

Қоршаған бөлік: 6948

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 5A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Тілектер тізімі
2SA1931,NETQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NETQ(M

Қоршаған бөлік: 6957

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 5A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Тілектер тізімі
2SA1931,NETQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NETQ(J

Қоршаған бөлік: 6946

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 5A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Тілектер тізімі
2SA1931,BOSCHQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,BOSCHQ(J

Қоршаған бөлік: 6957

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 5A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Тілектер тізімі
2SA1931,KEHINQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,KEHINQ(M

Қоршаған бөлік: 6765

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 5A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Тілектер тізімі
2SA1931(NOMARK,A,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931(NOMARK,A,Q

Қоршаған бөлік: 6941

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 5A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Тілектер тізімі
2SA1930,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,Q(J

Қоршаған бөлік: 7022

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 180V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 5µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі
2SA1930,ONKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,ONKQ(J

Қоршаған бөлік: 6775

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 180V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 5µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі
2SA1930,CKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,CKQ(J

Қоршаған бөлік: 6939

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 180V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 5µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі
2SA1930,LBS2DIAQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,LBS2DIAQ(J

Қоршаған бөлік: 7019

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 180V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 5µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі
2SA1930(ONK,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(ONK,Q,M)

Қоршаған бөлік: 6989

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 180V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 5µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі
2SA1930(LBS2MATQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(LBS2MATQ,M

Қоршаған бөлік: 6940

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 180V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 5µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі
2SA1869-Y,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y,Q(J

Қоршаған бөлік: 7005

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 3A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі
2SA1869-Y,MTSAQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y,MTSAQ(J

Қоршаған бөлік: 6727

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 3A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі
2SA1869-Y(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y(Q,M)

Қоршаған бөлік: 7004

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 3A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі
2SA1869-Y(JKT,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y(JKT,Q,M)

Қоршаған бөлік: 6990

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 3A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі
2SA1837,YHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,YHF(M

Қоршаған бөлік: 6947

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 230V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі
2SA1837,YHF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,YHF(J

Қоршаған бөлік: 6752

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 230V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі
2SA1837,WNLF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,WNLF(J

Қоршаған бөлік: 6966

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 230V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі
2SA1837,TOA1F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,TOA1F(J

Қоршаған бөлік: 6942

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 230V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі
2SA1837,NSEIKIF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,NSEIKIF(J

Қоршаған бөлік: 6984

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 230V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі