Транзисторлар - биполярлы (BJT) - жалғыз | Дискретті жартылай өткізгіш өнімдер | 11

2SA1943N(S1,E,S)

Қоршаған бөлік: 30936

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 15A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 230V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 5µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3325-Y,LF

Қоршаған бөлік: 133517

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA2154CT-GR,L3F

Қоршаған бөлік: 125949

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-OTE85LF

Қоршаған бөлік: 103394

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3324GRTE85LF

Қоршаған бөлік: 72

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6026CTGRTPL3

Қоршаған бөлік: 154

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4944-GR(TE85L,F

Қоршаған бөлік: 155

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1182-Y,LF

Қоршаған бөлік: 105735

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162-GR,LF

Қоршаған бөлік: 114972

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2713-BL,LF

Қоршаған бөлік: 141073

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162-Y,LF

Қоршаған бөлік: 182069

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1298-Y,LF

Қоршаған бөлік: 110660

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 800mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 25V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-BL,LF

Қоршаған бөлік: 194721

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1588-O,LF

Қоршаған бөлік: 146528

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1312-BL(TE85L,F

Қоршаған бөлік: 123

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1832-Y,LF

Қоршаған бөлік: 160315

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB906-Y(TE16L1,NQ

Қоршаған бөлік: 107

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 3A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 60V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 300mA, 3A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1586-Y,LF

Қоршаған бөлік: 100369

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4213BTE85LF

Қоршаған бөлік: 179590

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 300mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-BL,LF

Қоршаған бөлік: 124685

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1588-GR,LF

Қоршаған бөлік: 122917

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4738-Y,LF

Қоршаған бөлік: 134403

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6026MFVGR,L3F

Қоршаған бөлік: 189199

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1832-GR,LF

Қоршаған бөлік: 172547

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6076(TE16L1,NV)

Қоршаған бөлік: 135662

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 3A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 80V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1587-BL,LF

Қоршаған бөлік: 106998

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5242-O(Q)

Қоршаған бөлік: 515

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 15A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 230V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 5µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1962-O(Q)

Қоршаған бөлік: 22703

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 15A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 230V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 5µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1943-O(Q)

Қоршаған бөлік: 22767

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 15A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 230V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 5µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5200N(S1,E,S)

Қоршаған бөлік: 30915

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 15A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 230V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 5µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1721RTE85LF

Қоршаған бөлік: 7061

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 300V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6NSF(J

Қоршаған бөлік: 7009

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6WNLF(J

Қоршаған бөлік: 7019

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,F(M

Қоршаған бөлік: 7049

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695,T6F(M

Қоршаған бөлік: 7066

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 60V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 10µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695,T6F(J

Қоршаған бөлік: 6988

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 60V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 10µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Тілектер тізімі