Транзисторлар - IGBT - жалғыз | Дискретті жартылай өткізгіш өнімдер | 1

GT60N321(Q)

Қоршаған бөлік: 6662

Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 1000V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 60A, Ағымдағы - импульстік коллектор (Icm): 120A, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A, Қуат - максимум: 170W,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

GT50J121(Q)

Қоршаған бөлік: 6662

Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 600V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50A, Ағымдағы - импульстік коллектор (Icm): 100A, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A, Қуат - максимум: 240W,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

GT8G133(TE12L,Q)

Қоршаған бөлік: 6700

Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 400V, Ағымдағы - импульстік коллектор (Icm): 150A, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 4V, 150A, Қуат - максимум: 600mW,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

GT10G131(TE12L,Q)

Қоршаған бөлік: 6737

Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 400V, Ағымдағы - импульстік коллектор (Icm): 200A, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 4V, 200A, Қуат - максимум: 1W,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

GT10J312(Q)

Қоршаған бөлік: 6730

Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 600V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 10A, Ағымдағы - импульстік коллектор (Icm): 20A, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A, Қуат - максимум: 60W,

Тілектер тізімі