Транзисторлар - JFET | Дискретті жартылай өткізгіш өнімдер | 1

2SK879-Y(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 198791

FET түрі: N-Channel, Ағым - ағызу (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Кернеу - өшіру (VGS өшірулі) @ Id: 400mV @ 100nA,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2145-GR(TE85L,F

Қоршаған бөлік: 405

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), Ағым - ағызу (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, Кернеу - өшіру (VGS өшірулі) @ Id: 200mV @ 100nA,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK879-GR(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 389

FET түрі: N-Channel, Ағым - ағызу (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, Кернеу - өшіру (VGS өшірулі) @ Id: 400mV @ 100nA,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-O(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 342

FET түрі: N-Channel, Ағым - ағызу (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 600µA @ 10V, Кернеу - өшіру (VGS өшірулі) @ Id: 400mV @ 100nA,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-GR(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 340

FET түрі: N-Channel, Ағым - ағызу (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, Кернеу - өшіру (VGS өшірулі) @ Id: 400mV @ 100nA,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2145-Y(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 123563

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), Ағым - ағызу (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Кернеу - өшіру (VGS өшірулі) @ Id: 200mV @ 100nA,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK880-BL(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 403

FET түрі: N-Channel, Кернеу - бұзылу (V (BR) GSS): 50V, Ағым - ағызу (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, Кернеу - өшіру (VGS өшірулі) @ Id: 1.5V @ 100nA,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK880GRTE85LF

Қоршаған бөлік: 100454

FET түрі: N-Channel, Кернеу - бұзылу (V (BR) GSS): 50V, Ағым - ағызу (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, Кернеу - өшіру (VGS өшірулі) @ Id: 1.5V @ 100nA,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-Y(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 407

FET түрі: N-Channel, Ағым - ағызу (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Кернеу - өшіру (VGS өшірулі) @ Id: 400mV @ 100nA,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3320-BL(TE85L,F

Қоршаған бөлік: 9964

FET түрі: N-Channel, Ағым - ағызу (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, Кернеу - өшіру (VGS өшірулі) @ Id: 200mV @ 100nA,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2145-BL(TE85L,F

Қоршаған бөлік: 177718

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), Ағым - ағызу (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, Кернеу - өшіру (VGS өшірулі) @ Id: 200mV @ 100nA,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-R(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 9975

FET түрі: N-Channel, Ағым - ағызу (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 300µA @ 10V, Кернеу - өшіру (VGS өшірулі) @ Id: 400mV @ 100nA,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3320-Y(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 3488

FET түрі: N-Channel, Ағым - ағызу (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Кернеу - өшіру (VGS өшірулі) @ Id: 200mV @ 100nA,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK880-Y(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 110749

FET түрі: N-Channel, Кернеу - бұзылу (V (BR) GSS): 50V, Ағым - ағызу (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Кернеу - өшіру (VGS өшірулі) @ Id: 1.5V @ 100nA,

Тілектер тізімі