Транзисторлар - биполярлы (BJT) - жалғыз | Дискретті жартылай өткізгіш өнімдер | 11

2SB1457(T6DW,F,M)

Қоршаған бөлік: 5232

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 100V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 10µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,HFEMBJF(J

Қоршаған бөлік: 6608

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 230V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6TR,A,F

Қоршаған бөлік: 5272

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA2154CT-Y(TPL3)

Қоршаған бөлік: 5238

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5439(F)

Қоршаған бөлік: 5233

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 8A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 450V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 640mA, 3.2A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6026CT-Y(TPL3)

Қоршаған бөлік: 5083

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-GR,LF

Қоршаған бөлік: 184025

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2713-GR,LF

Қоршаған бөлік: 129870

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1313-Y,LF

Қоршаған бөлік: 105477

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1163-BL,LF

Қоршаған бөлік: 145497

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1587-GR,LF

Қоршаған бөлік: 132736

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1163-GR,LF

Қоршаған бөлік: 156237

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-Y,LF

Қоршаған бөлік: 105262

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3326-B,LF

Қоршаған бөлік: 114013

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 300mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4117-BL,LF

Қоршаған бөлік: 141692

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-GR,LF

Қоршаған бөлік: 150771

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3326-A,LF

Қоршаған бөлік: 149461

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 300mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1721OTE85LF

Қоршаған бөлік: 100270

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 300V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4213-A(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 118674

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 300mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3324-BL(TE85L,F

Қоршаған бөлік: 171156

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1312GRTE85LF

Қоршаған бөлік: 4810

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

TMBT3904,LM

Қоршаған бөлік: 104340

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

TTA0002(Q)

Қоршаған бөлік: 27295

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 18A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 160V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC0002(Q)

Қоршаған бөлік: 27908

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 18A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 160V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC012(Q)

Қоршаған бөлік: 96245

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 375V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 62.5mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 10µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 300mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6503(TE85L,F,M)

Қоршаған бөлік: 124

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1.5A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 150mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

TMBT3906,LM

Қоршаған бөлік: 192103

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC008(Q)

Қоршаған бөлік: 118518

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1.5A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 285V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 62.5mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 10µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

TBC857B,LM

Қоршаған бөлік: 174487

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 100mA, 5mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 30nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

TTA003,L1NQ(O

Қоршаған бөлік: 186338

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 3A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 80V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC5200(Q)

Қоршаған бөлік: 25341

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 15A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 230V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 5µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

TTA1943(Q)

Қоршаған бөлік: 25369

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 15A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 230V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 5µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

TTA004B,Q

Қоршаған бөлік: 146507

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1.5A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 160V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC009,F(M

Қоршаған бөлік: 7058

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 3A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 80V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC009,F(J

Қоршаған бөлік: 7067

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 3A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 80V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

TBC847B,LM

Қоршаған бөлік: 142061

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 5mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 30nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Тілектер тізімі