Транзисторлар - биполярлы (BJT) - жалғыз | Дискретті жартылай өткізгіш өнімдер | 11

2SA1020-Y(T6ND1,AF

Қоршаған бөлік: 6998

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6CANOFM

Қоршаған бөлік: 6993

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6CN,A,F

Қоршаған бөлік: 6954

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(ND1,AF)

Қоршаған бөлік: 6985

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6CANOAF

Қоршаған бөлік: 7006

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(HIT,F,M)

Қоршаған бөлік: 6997

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-O,T6CSF(J

Қоршаған бөлік: 6930

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(6MBH1,AF

Қоршаған бөлік: 6930

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-O,F(J

Қоршаған бөлік: 6938

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-O,CKF(J

Қоршаған бөлік: 6931

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-O(F,M)

Қоршаған бөлік: 6950

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-O(TE6,F,M)

Қоршаған бөлік: 6965

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020A,NSEIKIF(J

Қоршаған бөлік: 6974

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020A,T6CSF(J

Қоршаған бөлік: 6928

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1013-O,T6MIBF(J

Қоршаған бөлік: 6980

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 160V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162S-GR,LF(D

Қоршаған бөлік: 6875

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2859-O(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 6792

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1954-A(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 6773

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 12V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2859-GR(TE85L,F

Қоршаған бөлік: 6693

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2859-Y(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 6762

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3138-Y(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 6780

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 200V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 3V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA2154MFV-GR(TPL3

Қоршаған бөлік: 6792

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5233BTE85LF

Қоршаған бөлік: 6787

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 12V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1954BTE85LF

Қоршаған бөлік: 6795

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 12V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116SU-Y,LF

Қоршаған бөлік: 6677

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1586SU-Y,LF

Қоршаған бөлік: 6701

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162S-Y,LF

Қоршаған бөлік: 6675

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD1221-Y(Q)

Қоршаған бөлік: 6572

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 3A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 60V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1225-Y(Q)

Қоршаған бөлік: 6628

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1.5A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 160V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2705-Y(TE6,F,M)

Қоршаған бөлік: 6565

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 150V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2406-Y(F)

Қоршаған бөлік: 6556

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 4A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 80V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 30µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD1407A-Y(F)

Қоршаған бөлік: 6562

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 5A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 100V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 400mA, 4A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3074-Y(Q)

Қоршаған бөлік: 6619

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 5A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3074-O(Q)

Қоршаған бөлік: 6562

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 5A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 1V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2705-O(TPE6,F)

Қоршаған бөлік: 6533

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 150V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2705-O(TE6,F,M)

Қоршаған бөлік: 6581

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 150V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі