Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Оптоизоляторлар - транзистор, фотоэлектрлік шығу

  • Үй
  •  
  • Оптоизоляторлар - транзистор, фотоэлектрлік шығу
MOC212R2M
ON Semiconductor

MOC212R2M

Қоршаған бөлік: 161187

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 7.5µs, 5.7µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3.2µs, 4.7µs,

Тілектер тізімі
H11G1SR2M
ON Semiconductor

H11G1SR2M

Қоршаған бөлік: 197619

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 1000% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 100µs,

Тілектер тізімі
MCT9001S
ON Semiconductor

MCT9001S

Қоршаған бөлік: 66608

Арналар саны: 2, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 600% @ 5mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 3µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 2.4µs, 2.4µs,

Тілектер тізімі
H11D3M
ON Semiconductor

H11D3M

Қоршаған бөлік: 73280

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 5µs,

Тілектер тізімі
FOD2711A
ON Semiconductor

FOD2711A

Қоршаған бөлік: 178772

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 200% @ 10mA,

Тілектер тізімі
FOD2741BV
ON Semiconductor

FOD2741BV

Қоршаған бөлік: 121941

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 200% @ 10mA,

Тілектер тізімі
MOCD207VM
ON Semiconductor

MOCD207VM

Қоршаған бөлік: 174148

Арналар саны: 2, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 200% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 7.5µs, 5.7µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3.2µs, 4.7µs,

Тілектер тізімі
H11A1SM
ON Semiconductor

H11A1SM

Қоршаған бөлік: 116280

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
FODM453
ON Semiconductor

FODM453

Қоршаған бөлік: 30717

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 16mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 50% @ 16mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 400ns, 350ns,

Тілектер тізімі
CNY172TVM
ON Semiconductor

CNY172TVM

Қоршаған бөлік: 116245

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 63% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 125% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3.5µs (Max),

Тілектер тізімі
CNY172VM
ON Semiconductor

CNY172VM

Қоршаған бөлік: 103182

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 63% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 125% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3.5µs (Max),

Тілектер тізімі
H11A1VM
ON Semiconductor

H11A1VM

Қоршаған бөлік: 101749

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
H11AA1SVM
ON Semiconductor

H11AA1SVM

Қоршаған бөлік: 150290

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA,

Тілектер тізімі
H11AA4SVM
ON Semiconductor

H11AA4SVM

Қоршаған бөлік: 143761

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA,

Тілектер тізімі
FOD617C
ON Semiconductor

FOD617C

Қоршаған бөлік: 146499

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 200% @ 10mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3µs,

Тілектер тізімі
H11AG1M
ON Semiconductor

H11AG1M

Қоршаған бөлік: 53878

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 1mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 5µs,

Тілектер тізімі
CNY174M
ON Semiconductor

CNY174M

Қоршаған бөлік: 120060

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 160% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 320% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3.5µs (Max),

Тілектер тізімі
HMHAA280
ON Semiconductor

HMHAA280

Қоршаған бөлік: 95112

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 600% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 3µs,

Тілектер тізімі
CNY17F1M
ON Semiconductor

CNY17F1M

Қоршаған бөлік: 109377

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 40% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 80% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3.5µs (Max),

Тілектер тізімі
FOD2742B
ON Semiconductor

FOD2742B

Қоршаған бөлік: 63747

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 200% @ 10mA,

Тілектер тізімі
FOD2711AS
ON Semiconductor

FOD2711AS

Қоршаған бөлік: 59561

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 200% @ 10mA,

Тілектер тізімі
H11D3SM
ON Semiconductor

H11D3SM

Қоршаған бөлік: 72513

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 5µs,

Тілектер тізімі
HCPL3700
ON Semiconductor

HCPL3700

Қоршаған бөлік: 19322

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Қосу / өшіру уақыты (типі): 6µs, 25µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 45µs, 0.5µs,

Тілектер тізімі
CNY17F2SM
ON Semiconductor

CNY17F2SM

Қоршаған бөлік: 107783

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 63% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 125% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3.5µs (Max),

Тілектер тізімі
FODM453R2
ON Semiconductor

FODM453R2

Қоршаған бөлік: 80031

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 16mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 50% @ 16mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 400ns, 350ns,

Тілектер тізімі
FOD2741AS
ON Semiconductor

FOD2741AS

Қоршаған бөлік: 125212

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 200% @ 10mA,

Тілектер тізімі
FODM121B
ON Semiconductor

FODM121B

Қоршаған бөлік: 111035

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 150% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 3µs,

Тілектер тізімі
HMHA2801R2V
ON Semiconductor

HMHA2801R2V

Қоршаған бөлік: 168410

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 80% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 600% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 3µs,

Тілектер тізімі
FOD2743BSDV
ON Semiconductor

FOD2743BSDV

Қоршаған бөлік: 92413

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 1mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 100% @ 1mA,

Тілектер тізімі
CNY17F1SM
ON Semiconductor

CNY17F1SM

Қоршаған бөлік: 107723

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 40% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 80% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3.5µs (Max),

Тілектер тізімі
FOD817B3S
ON Semiconductor

FOD817B3S

Қоршаған бөлік: 128550

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 130% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 260% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3µs,

Тілектер тізімі
FOD2743BTV
ON Semiconductor

FOD2743BTV

Қоршаған бөлік: 105672

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 1mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 100% @ 1mA,

Тілектер тізімі
H11F3SM
ON Semiconductor

H11F3SM

Қоршаған бөлік: 21822

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Қосу / өшіру уақыты (типі): 45µs, 45µs (Max),

Тілектер тізімі
MOCD223VM
ON Semiconductor

MOCD223VM

Қоршаған бөлік: 143436

Арналар саны: 2, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 500% @ 1mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 10µs, 125µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 8µs, 110µs,

Тілектер тізімі
MCT61SD
ON Semiconductor

MCT61SD

Қоршаған бөлік: 149442

Арналар саны: 2, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 5mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2.4µs, 2.4µs,

Тілектер тізімі
FOD819SD
ON Semiconductor

FOD819SD

Қоршаған бөлік: 4377

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 1.5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 600% @ 1.5mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 18µs, 18µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 12µs, 20µs,

Тілектер тізімі