Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Оптоизоляторлар - транзистор, фотоэлектрлік шығу

  • Үй
  •  
  • Оптоизоляторлар - транзистор, фотоэлектрлік шығу
4N25300
ON Semiconductor

4N25300

Қоршаған бөлік: 5930

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
4N26SM
ON Semiconductor

4N26SM

Қоршаған бөлік: 146907

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
4N26SR2VM
ON Semiconductor

4N26SR2VM

Қоршаған бөлік: 5997

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
4N28FR2VM
ON Semiconductor

4N28FR2VM

Қоршаған бөлік: 5931

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 10% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
4N253SD
ON Semiconductor

4N253SD

Қоршаған бөлік: 5930

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
4N37M_F132
ON Semiconductor

4N37M_F132

Қоршаған бөлік: 5913

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
4N30SD
ON Semiconductor

4N30SD

Қоршаған бөлік: 5907

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 40µs (Max),

Тілектер тізімі
4N283SD
ON Semiconductor

4N283SD

Қоршаған бөлік: 2684

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 10% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
4N28VM
ON Semiconductor

4N28VM

Қоршаған бөлік: 5913

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 10% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
4N28TVM
ON Semiconductor

4N28TVM

Қоршаған бөлік: 194325

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 10% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
4N36SVM
ON Semiconductor

4N36SVM

Қоршаған бөлік: 5941

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
4N36TM
ON Semiconductor

4N36TM

Қоршаған бөлік: 2637

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
4N37FR2VM
ON Semiconductor

4N37FR2VM

Қоршаған бөлік: 5923

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
4N29W
ON Semiconductor

4N29W

Қоршаған бөлік: 5859

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 40µs (Max),

Тілектер тізімі
4N273SD
ON Semiconductor

4N273SD

Қоршаған бөлік: 5898

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 10% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
4N28FVM
ON Semiconductor

4N28FVM

Қоршаған бөлік: 2624

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 10% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
4N36FVM
ON Semiconductor

4N36FVM

Қоршаған бөлік: 5889

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
4N33300
ON Semiconductor

4N33300

Қоршаған бөлік: 5923

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 500% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 100µs (Max),

Тілектер тізімі
4N38VM
ON Semiconductor

4N38VM

Қоршаған бөлік: 175258

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 5µs,

Тілектер тізімі
4N29SD
ON Semiconductor

4N29SD

Қоршаған бөлік: 5825

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 40µs (Max),

Тілектер тізімі
4N26FM
ON Semiconductor

4N26FM

Қоршаған бөлік: 5870

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
4N37SD
ON Semiconductor

4N37SD

Қоршаған бөлік: 5842

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
4N26SD
ON Semiconductor

4N26SD

Қоршаған бөлік: 5878

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
4N27FR2M
ON Semiconductor

4N27FR2M

Қоршаған бөлік: 5816

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 10% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
4N25300W
ON Semiconductor

4N25300W

Қоршаған бөлік: 2669

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
4N333S
ON Semiconductor

4N333S

Қоршаған бөлік: 5839

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 500% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 100µs (Max),

Тілектер тізімі
4N25W
ON Semiconductor

4N25W

Қоршаған бөлік: 5857

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
4N38300
ON Semiconductor

4N38300

Қоршаған бөлік: 5768

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 5µs,

Тілектер тізімі
4N25SD
ON Semiconductor

4N25SD

Қоршаған бөлік: 5808

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
4N293S
ON Semiconductor

4N293S

Қоршаған бөлік: 5778

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 40µs (Max),

Тілектер тізімі
4N37FVM
ON Semiconductor

4N37FVM

Қоршаған бөлік: 2608

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
4N28SR2M
ON Semiconductor

4N28SR2M

Қоршаған бөлік: 5808

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 10% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
4N37SVM
ON Semiconductor

4N37SVM

Қоршаған бөлік: 5809

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
4N31300W
ON Semiconductor

4N31300W

Қоршаған бөлік: 5814

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 40µs (Max),

Тілектер тізімі
4N27TM
ON Semiconductor

4N27TM

Қоршаған бөлік: 5781

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 10% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
4N26M_F132
ON Semiconductor

4N26M_F132

Қоршаған бөлік: 5743

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі