Қашықтықты сезу: 0.157" (4mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.200" (5.08mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 25mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 40mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.050" (1.27mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.150" (3.81mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.050" (1.27mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 15V, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Photodarlington,