Транзисторлар - бағдарламаланатын біртұтас функция | Дискретті жартылай өткізгіш өнімдер | 1

2N6028RLRMG

Қоршаған бөлік: 2509

Вольтаж: 40V, Қуатты бөлу (максимум): 300mW, Кернеу - шығыс: 11V, Кернеу - ығысу (Vt): 600mV, Ағымдағы - Анодтың ағып кетуіне жол (Igao): 10nA, Ағымдағы - алқап (Iv): 25µA,

Тілектер тізімі

ON Semiconductor

2N6028RLRPG

Қоршаған бөлік: 2537

Вольтаж: 40V, Қуатты бөлу (максимум): 300mW, Кернеу - шығыс: 11V, Кернеу - ығысу (Vt): 600mV, Ағымдағы - Анодтың ағып кетуіне жол (Igao): 10nA, Ағымдағы - алқап (Iv): 25µA,

Тілектер тізімі

ON Semiconductor

2N6027RL1G

Қоршаған бөлік: 2538

Вольтаж: 40V, Қуатты бөлу (максимум): 300mW, Кернеу - шығыс: 11V, Кернеу - ығысу (Vt): 1.6V, Ағымдағы - Анодтың ағып кетуіне жол (Igao): 10nA, Ағымдағы - алқап (Iv): 50µA,

Тілектер тізімі

ON Semiconductor

2N6028RLRP

Қоршаған бөлік: 2531

Вольтаж: 40V, Қуатты бөлу (максимум): 300mW, Кернеу - шығыс: 11V, Кернеу - ығысу (Vt): 600mV, Ағымдағы - Анодтың ағып кетуіне жол (Igao): 10nA, Ағымдағы - алқап (Iv): 25µA,

Тілектер тізімі

ON Semiconductor

2N6027RL1

Қоршаған бөлік: 2482

Вольтаж: 40V, Қуатты бөлу (максимум): 300mW, Кернеу - шығыс: 11V, Кернеу - ығысу (Vt): 1.6V, Ағымдағы - Анодтың ағып кетуіне жол (Igao): 10nA, Ағымдағы - алқап (Iv): 50µA,

Тілектер тізімі

ON Semiconductor

2N6028G

Қоршаған бөлік: 2534

Вольтаж: 40V, Қуатты бөлу (максимум): 300mW, Кернеу - шығыс: 11V, Кернеу - ығысу (Vt): 600mV, Ағымдағы - Анодтың ағып кетуіне жол (Igao): 10nA, Ағымдағы - алқап (Iv): 25µA,

Тілектер тізімі

ON Semiconductor

2N6027G

Қоршаған бөлік: 2493

Вольтаж: 40V, Қуатты бөлу (максимум): 300mW, Кернеу - шығыс: 11V, Кернеу - ығысу (Vt): 1.6V, Ағымдағы - Анодтың ағып кетуіне жол (Igao): 10nA, Ағымдағы - алқап (Iv): 50µA,

Тілектер тізімі

ON Semiconductor

2N6028RLRAG

Қоршаған бөлік: 2505

Вольтаж: 40V, Қуатты бөлу (максимум): 300mW, Кернеу - шығыс: 11V, Кернеу - ығысу (Vt): 600mV, Ағымдағы - Анодтың ағып кетуіне жол (Igao): 10nA, Ағымдағы - алқап (Iv): 25µA,

Тілектер тізімі

ON Semiconductor

2N6027RLRAG

Қоршаған бөлік: 2518

Вольтаж: 40V, Қуатты бөлу (максимум): 300mW, Кернеу - шығыс: 11V, Кернеу - ығысу (Vt): 1.6V, Ағымдағы - Анодтың ағып кетуіне жол (Igao): 10nA, Ағымдағы - алқап (Iv): 50µA,

Тілектер тізімі

ON Semiconductor

2N6028RLRA

Қоршаған бөлік: 2522

Вольтаж: 40V, Қуатты бөлу (максимум): 300mW, Кернеу - шығыс: 11V, Кернеу - ығысу (Vt): 600mV, Ағымдағы - Анодтың ағып кетуіне жол (Igao): 10nA, Ағымдағы - алқап (Iv): 25µA,

Тілектер тізімі

ON Semiconductor

2N6027RLRA

Қоршаған бөлік: 2457

Вольтаж: 40V, Қуатты бөлу (максимум): 300mW, Кернеу - шығыс: 11V, Кернеу - ығысу (Vt): 1.6V, Ағымдағы - Анодтың ағып кетуіне жол (Igao): 10nA, Ағымдағы - алқап (Iv): 50µA,

Тілектер тізімі