Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Оптоизоляторлар - транзистор, фотоэлектрлік шығу

  • Үй
  •  
  • Оптоизоляторлар - транзистор, фотоэлектрлік шығу
H11F2300W
ON Semiconductor

H11F2300W

Қоршаған бөлік: 5200

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Қосу / өшіру уақыты (типі): 25µs, 25µs (Max),

Тілектер тізімі
CNY174SD
ON Semiconductor

CNY174SD

Қоршаған бөлік: 5227

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 160% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 320% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1µs, 2µs,

Тілектер тізімі
H11AA43SD
ON Semiconductor

H11AA43SD

Қоршаған бөлік: 5267

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA,

Тілектер тізімі
FOD817A300W
ON Semiconductor

FOD817A300W

Қоршаған бөлік: 126256

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 80% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 160% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3µs,

Тілектер тізімі
CNY17F4VM
ON Semiconductor

CNY17F4VM

Қоршаған бөлік: 127592

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 160% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 320% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3.5µs (Max),

Тілектер тізімі
FODM2701BR1V
ON Semiconductor

FODM2701BR1V

Қоршаған бөлік: 5252

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 300% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 3µs,

Тілектер тізімі
MOC8101300
ON Semiconductor

MOC8101300

Қоршаған бөлік: 5246

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 80% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1µs, 2µs,

Тілектер тізімі
MOC8113300W
ON Semiconductor

MOC8113300W

Қоршаған бөлік: 5261

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 4.2µs, 23µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 14µs,

Тілектер тізімі
HCPL4503TSR2VM
ON Semiconductor

HCPL4503TSR2VM

Қоршаған бөлік: 51781

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 19% @ 16mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 50% @ 16mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 250ns, 260ns,

Тілектер тізімі
CNY17F2300
ON Semiconductor

CNY17F2300

Қоршаған бөлік: 5227

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 63% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 125% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1µs, 2µs,

Тілектер тізімі
FOD2743BS
ON Semiconductor

FOD2743BS

Қоршаған бөлік: 96346

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 1mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 100% @ 1mA,

Тілектер тізімі
HCPL0500R2V
ON Semiconductor

HCPL0500R2V

Қоршаған бөлік: 77623

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 7% @ 16mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 50% @ 16mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 450ns, 500ns,

Тілектер тізімі
MOC216R2VM
ON Semiconductor

MOC216R2VM

Қоршаған бөлік: 111137

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 1mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 7.5µs, 5.7µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3.2µs, 4.7µs,

Тілектер тізімі
FOD2743ASD
ON Semiconductor

FOD2743ASD

Қоршаған бөлік: 5289

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 1mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 100% @ 1mA,

Тілектер тізімі
H11AA814A3SD
ON Semiconductor

H11AA814A3SD

Қоршаған бөлік: 5240

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 1mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 150% @ 1mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 2.4µs, 2.4µs,

Тілектер тізімі
CNW11AV3
ON Semiconductor

CNW11AV3

Қоршаған бөлік: 5263

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA,

Тілектер тізімі
MOC8030SD
ON Semiconductor

MOC8030SD

Қоршаған бөлік: 5267

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 300% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 3.5µs, 95µs,

Тілектер тізімі
H11F3SR2VM
ON Semiconductor

H11F3SR2VM

Қоршаған бөлік: 53885

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Қосу / өшіру уақыты (типі): 45µs, 45µs (Max),

Тілектер тізімі
MOC8100SVM
ON Semiconductor

MOC8100SVM

Қоршаған бөлік: 5270

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 30% @ 1mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 20µs, 20µs (Max), Көтерілу / құлау уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
FODM217DR2
ON Semiconductor

FODM217DR2

Қоршаған бөлік: 173354

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 300% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 600% @ 5mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 3µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 2µs, 3µs,

Тілектер тізімі
FOD817
ON Semiconductor

FOD817

Қоршаған бөлік: 155882

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 600% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3µs,

Тілектер тізімі
HCPL2530SD
ON Semiconductor

HCPL2530SD

Қоршаған бөлік: 66249

Арналар саны: 2, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 7% @ 16mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 50% @ 16mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 450ns, 500ns,

Тілектер тізімі
FODM217BR2
ON Semiconductor

FODM217BR2

Қоршаған бөлік: 193882

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 130% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 260% @ 5mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 3µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 2µs, 3µs,

Тілектер тізімі
FODM217B
ON Semiconductor

FODM217B

Қоршаған бөлік: 186974

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 130% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 260% @ 5mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 3µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 2µs, 3µs,

Тілектер тізімі
H11D1SM
ON Semiconductor

H11D1SM

Қоршаған бөлік: 72582

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 5µs,

Тілектер тізімі
FOD8523S
ON Semiconductor

FOD8523S

Қоршаған бөлік: 66027

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 1000% @ 1mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 15000% @ 1mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 100µs, 20µs,

Тілектер тізімі
H11G2SM
ON Semiconductor

H11G2SM

Қоршаған бөлік: 72517

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 1000% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 100µs,

Тілектер тізімі
HCPL3700S
ON Semiconductor

HCPL3700S

Қоршаған бөлік: 18167

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Қосу / өшіру уақыты (типі): 6µs, 25µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 45µs, 0.5µs,

Тілектер тізімі
HCPL0701R2
ON Semiconductor

HCPL0701R2

Қоршаған бөлік: 85358

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 500% @ 1.6mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 2600% @ 1.6mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 300ns, 1.6µs,

Тілектер тізімі
CNY173SR2M
ON Semiconductor

CNY173SR2M

Қоршаған бөлік: 151610

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 200% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3.5µs (Max),

Тілектер тізімі
FOD817300
ON Semiconductor

FOD817300

Қоршаған бөлік: 119522

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 600% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3µs,

Тілектер тізімі
FODM1008R2
ON Semiconductor

FODM1008R2

Қоршаған бөлік: 199107

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 130% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 260% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 5.7µs, 8.5µs,

Тілектер тізімі
TIL113M
ON Semiconductor

TIL113M

Қоршаған бөлік: 118681

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 300% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 100µs (Max),

Тілектер тізімі
MOC207VM
ON Semiconductor

MOC207VM

Қоршаған бөлік: 192208

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 200% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 7.5µs, 5.7µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3.2µs, 4.7µs,

Тілектер тізімі
FOD814
ON Semiconductor

FOD814

Қоршаған бөлік: 124129

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 1mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 300% @ 1mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3µs,

Тілектер тізімі
MOCD207D2M
ON Semiconductor

MOCD207D2M

Қоршаған бөлік: 10807

Арналар саны: 2, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 200% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 3µs, 2.8µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1.6µs, 2.2µs,

Тілектер тізімі