Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Оптоизоляторлар - транзистор, фотоэлектрлік шығу

  • Үй
  •  
  • Оптоизоляторлар - транзистор, фотоэлектрлік шығу
MCT5211TVM
ON Semiconductor

MCT5211TVM

Қоршаған бөлік: 118159

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 150% @ 1.6mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 14µs, 2.5µs,

Тілектер тізімі
HCPL2531
ON Semiconductor

HCPL2531

Қоршаған бөлік: 33530

Арналар саны: 2, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 19% @ 16mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 50% @ 16mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 450ns, 300ns,

Тілектер тізімі
HCPL3700SD
ON Semiconductor

HCPL3700SD

Қоршаған бөлік: 39981

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Қосу / өшіру уақыты (типі): 6µs, 25µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 45µs, 0.5µs,

Тілектер тізімі
FOD8173S
ON Semiconductor

FOD8173S

Қоршаған бөлік: 128543

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 600% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3µs,

Тілектер тізімі
FODM121A
ON Semiconductor

FODM121A

Қоршаған бөлік: 116286

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 300% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 3µs,

Тілектер тізімі
FOD2711ASDV
ON Semiconductor

FOD2711ASDV

Қоршаған бөлік: 153390

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 200% @ 10mA,

Тілектер тізімі
MOC256R2M
ON Semiconductor

MOC256R2M

Қоршаған бөлік: 171881

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA,

Тілектер тізімі
MOC8204SM
ON Semiconductor

MOC8204SM

Қоршаған бөлік: 54293

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 5µs,

Тілектер тізімі
MOC211R2M
ON Semiconductor

MOC211R2M

Қоршаған бөлік: 101788

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 7.5µs, 5.7µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3.2µs, 4.7µs,

Тілектер тізімі
MOCD213R2VM
ON Semiconductor

MOCD213R2VM

Қоршаған бөлік: 55554

Арналар саны: 2, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 3µs, 2.8µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1.6µs, 2.2µs,

Тілектер тізімі
CNY171TVM
ON Semiconductor

CNY171TVM

Қоршаған бөлік: 8689

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 40% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 80% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3.5µs (Max),

Тілектер тізімі
CNY17F3SR2VM
ON Semiconductor

CNY17F3SR2VM

Қоршаған бөлік: 165873

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 200% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3.5µs (Max),

Тілектер тізімі
MOC8204M
ON Semiconductor

MOC8204M

Қоршаған бөлік: 56357

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 5µs,

Тілектер тізімі
HCPL2530
ON Semiconductor

HCPL2530

Қоршаған бөлік: 34093

Арналар саны: 2, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 7% @ 16mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 50% @ 16mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 450ns, 500ns,

Тілектер тізімі
H11B1VM
ON Semiconductor

H11B1VM

Қоршаған бөлік: 114663

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 500% @ 1mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 25µs, 18µs,

Тілектер тізімі
H11F3M
ON Semiconductor

H11F3M

Қоршаған бөлік: 22074

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Қосу / өшіру уақыты (типі): 45µs, 45µs (Max),

Тілектер тізімі
HCPL0531
ON Semiconductor

HCPL0531

Қоршаған бөлік: 19040

Арналар саны: 2, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 19% @ 16mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 50% @ 16mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 450ns, 300ns,

Тілектер тізімі
FOD817B300W
ON Semiconductor

FOD817B300W

Қоршаған бөлік: 126327

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 130% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 260% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3µs,

Тілектер тізімі
MCT623SD
ON Semiconductor

MCT623SD

Қоршаған бөлік: 190851

Арналар саны: 2, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 5mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2.4µs, 2.4µs,

Тілектер тізімі
MOCD211M
ON Semiconductor

MOCD211M

Қоршаған бөлік: 72593

Арналар саны: 2, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 7.5µs, 5.7µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3.2µs, 4.7µs,

Тілектер тізімі
H11F1TVM
ON Semiconductor

H11F1TVM

Қоршаған бөлік: 49208

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Қосу / өшіру уақыты (типі): 45µs, 45µs (Max),

Тілектер тізімі
CNY173TVM
ON Semiconductor

CNY173TVM

Қоршаған бөлік: 116285

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 200% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3.5µs (Max),

Тілектер тізімі
HCPL3700M
ON Semiconductor

HCPL3700M

Қоршаған бөлік: 37547

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Қосу / өшіру уақыты (типі): 6µs, 25µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 45µs, 0.5µs,

Тілектер тізімі
HCPL3700SDV
ON Semiconductor

HCPL3700SDV

Қоршаған бөлік: 34738

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Қосу / өшіру уақыты (типі): 6µs, 25µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 45µs, 0.5µs,

Тілектер тізімі
FOD852S
ON Semiconductor

FOD852S

Қоршаған бөлік: 65994

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 1000% @ 1mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 15000% @ 1mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 100µs, 20µs,

Тілектер тізімі
MCT62S
ON Semiconductor

MCT62S

Қоршаған бөлік: 70421

Арналар саны: 2, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 5mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2.4µs, 2.4µs,

Тілектер тізімі
HCPL2730SD
ON Semiconductor

HCPL2730SD

Қоршаған бөлік: 66223

Арналар саны: 2, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 300% @ 1.6mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 300ns, 5µs,

Тілектер тізімі
H11AV1SR2M
ON Semiconductor

H11AV1SR2M

Қоршаған бөлік: 194326

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 300% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 15µs, 15µs (Max),

Тілектер тізімі
FODM8801BR2
ON Semiconductor

FODM8801BR2

Қоршаған бөлік: 162014

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 130% @ 1mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 260% @ 1mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 6µs, 6µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 5µs, 5.5µs,

Тілектер тізімі
H11A1TVM
ON Semiconductor

H11A1TVM

Қоршаған бөлік: 196475

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
H11AA1SR2VM
ON Semiconductor

H11AA1SR2VM

Қоршаған бөлік: 71796

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA,

Тілектер тізімі
CNY17F1SR2M
ON Semiconductor

CNY17F1SR2M

Қоршаған бөлік: 112628

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 40% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 80% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3.5µs (Max),

Тілектер тізімі
HMHAA280V
ON Semiconductor

HMHAA280V

Қоршаған бөлік: 92699

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 600% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 3µs,

Тілектер тізімі
H11AA1SM
ON Semiconductor

H11AA1SM

Қоршаған бөлік: 75549

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA,

Тілектер тізімі
MCT2ESR2VM
ON Semiconductor

MCT2ESR2VM

Қоршаған бөлік: 161992

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 2µs, 1.5µs,

Тілектер тізімі
FODM121R2V
ON Semiconductor

FODM121R2V

Қоршаған бөлік: 178282

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 600% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 3µs,

Тілектер тізімі