Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Оптоизоляторлар - транзистор, фотоэлектрлік шығу

  • Үй
  •  
  • Оптоизоляторлар - транзистор, фотоэлектрлік шығу
FOD2741BSDV
ON Semiconductor

FOD2741BSDV

Қоршаған бөлік: 116033

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 200% @ 10mA,

Тілектер тізімі
FOD2741A
ON Semiconductor

FOD2741A

Қоршаған бөлік: 43867

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 200% @ 10mA,

Тілектер тізімі
FOD2712A
ON Semiconductor

FOD2712A

Қоршаған бөлік: 56799

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 200% @ 10mA,

Тілектер тізімі
H11A1M
ON Semiconductor

H11A1M

Қоршаған бөлік: 5239

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
MOCD208M
ON Semiconductor

MOCD208M

Қоршаған бөлік: 70499

Арналар саны: 2, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 40% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 125% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 7.5µs, 5.7µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3.2µs, 4.7µs,

Тілектер тізімі
CNY171SM
ON Semiconductor

CNY171SM

Қоршаған бөлік: 111006

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 40% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 80% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3.5µs (Max),

Тілектер тізімі
CNY173M
ON Semiconductor

CNY173M

Қоршаған бөлік: 120142

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 200% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3.5µs (Max),

Тілектер тізімі
FOD852300W
ON Semiconductor

FOD852300W

Қоршаған бөлік: 199270

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 1000% @ 1mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 15000% @ 1mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 100µs, 20µs,

Тілектер тізімі
CNY172SM
ON Semiconductor

CNY172SM

Қоршаған бөлік: 198977

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 63% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 125% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3.5µs (Max),

Тілектер тізімі
H11D1M
ON Semiconductor

H11D1M

Қоршаған бөлік: 174127

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 5µs,

Тілектер тізімі
MOC8050SR2M
ON Semiconductor

MOC8050SR2M

Қоршаған бөлік: 119751

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 500% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 8.5µs, 95µs,

Тілектер тізімі
MOCD223R2VM
ON Semiconductor

MOCD223R2VM

Қоршаған бөлік: 140379

Арналар саны: 2, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 500% @ 1mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 10µs, 125µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 8µs, 110µs,

Тілектер тізімі
FOD817D300W
ON Semiconductor

FOD817D300W

Қоршаған бөлік: 126327

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 300% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 600% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3µs,

Тілектер тізімі
H11AV1SM
ON Semiconductor

H11AV1SM

Қоршаған бөлік: 78742

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 300% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 15µs, 15µs (Max),

Тілектер тізімі
H11AA1M
ON Semiconductor

H11AA1M

Қоршаған бөлік: 76315

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA,

Тілектер тізімі
FOD050LR2
ON Semiconductor

FOD050LR2

Қоршаған бөлік: 80083

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 15% @ 16mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 50% @ 16mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 1µs, 1µs (Max),

Тілектер тізімі
MCT5210M
ON Semiconductor

MCT5210M

Қоршаған бөлік: 59622

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 70% @ 3mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 10µs, 400ns,

Тілектер тізімі
CNY17F2VM
ON Semiconductor

CNY17F2VM

Қоршаған бөлік: 136248

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 63% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 125% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3.5µs (Max),

Тілектер тізімі
FOD852
ON Semiconductor

FOD852

Қоршаған бөлік: 66028

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 1000% @ 1mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 15000% @ 1mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 100µs, 20µs,

Тілектер тізімі
MCT6S
ON Semiconductor

MCT6S

Қоршаған бөлік: 73298

Арналар саны: 2, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2.4µs, 2.4µs,

Тілектер тізімі
H11G2SR2M
ON Semiconductor

H11G2SR2M

Қоршаған бөлік: 197758

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 1000% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 100µs,

Тілектер тізімі
FOD817C3S
ON Semiconductor

FOD817C3S

Қоршаған бөлік: 117326

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 200% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 400% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3µs,

Тілектер тізімі
MCT2EM
ON Semiconductor

MCT2EM

Қоршаған бөлік: 114471

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 2µs, 1.5µs,

Тілектер тізімі
H11A1SR2M
ON Semiconductor

H11A1SR2M

Қоршаған бөлік: 139413

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
H11G2M
ON Semiconductor

H11G2M

Қоршаған бөлік: 71839

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 1000% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 100µs,

Тілектер тізімі
H11AA4SM
ON Semiconductor

H11AA4SM

Қоршаған бөлік: 71816

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA,

Тілектер тізімі
FOD2741BSD
ON Semiconductor

FOD2741BSD

Қоршаған бөлік: 118876

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 200% @ 10mA,

Тілектер тізімі
MCT9001
ON Semiconductor

MCT9001

Қоршаған бөлік: 68468

Арналар саны: 2, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 600% @ 5mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 3µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 2.4µs, 2.4µs,

Тілектер тізімі
H11F1SR2M
ON Semiconductor

H11F1SR2M

Қоршаған бөлік: 48316

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Қосу / өшіру уақыты (типі): 45µs, 45µs (Max),

Тілектер тізімі
FOD852300
ON Semiconductor

FOD852300

Қоршаған бөлік: 66001

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 1000% @ 1mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 15000% @ 1mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 100µs, 20µs,

Тілектер тізімі
HCPL2531V
ON Semiconductor

HCPL2531V

Қоршаған бөлік: 68904

Арналар саны: 2, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 19% @ 16mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 50% @ 16mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 450ns, 300ns,

Тілектер тізімі
FODM1009R2
ON Semiconductor

FODM1009R2

Қоршаған бөлік: 117811

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 200% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 400% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 5.7µs, 8.5µs,

Тілектер тізімі
FODM121BR2
ON Semiconductor

FODM121BR2

Қоршаған бөлік: 123034

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 150% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 3µs,

Тілектер тізімі
FOD053LR2
ON Semiconductor

FOD053LR2

Қоршаған бөлік: 49759

Арналар саны: 2, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 15% @ 16mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 50% @ 16mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 1µs, 1µs (Max),

Тілектер тізімі
HCPL0531R2
ON Semiconductor

HCPL0531R2

Қоршаған бөлік: 51607

Арналар саны: 2, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 19% @ 16mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 50% @ 16mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 450ns, 300ns,

Тілектер тізімі
H11D3SR2M
ON Semiconductor

H11D3SR2M

Қоршаған бөлік: 199642

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 5µs,

Тілектер тізімі