Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Оптоизоляторлар - транзистор, фотоэлектрлік шығу

  • Үй
  •  
  • Оптоизоляторлар - транзистор, фотоэлектрлік шығу
MOC8204300
ON Semiconductor

MOC8204300

Қоршаған бөлік: 5527

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 5µs,

Тілектер тізімі
H11D2S
ON Semiconductor

H11D2S

Қоршаған бөлік: 5652

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 5µs,

Тілектер тізімі
H11G2S
ON Semiconductor

H11G2S

Қоршаған бөлік: 2646

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 1000% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 100µs,

Тілектер тізімі
MCT9001W
ON Semiconductor

MCT9001W

Қоршаған бөлік: 5743

Арналар саны: 2, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 600% @ 5mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 3µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 2.4µs, 2.4µs,

Тілектер тізімі
CNY17F4SVM
ON Semiconductor

CNY17F4SVM

Қоршаған бөлік: 154989

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 160% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 320% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3.5µs (Max),

Тілектер тізімі
H11AA3TVM
ON Semiconductor

H11AA3TVM

Қоршаған бөлік: 5597

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 10mA,

Тілектер тізімі
HMA121E
ON Semiconductor

HMA121E

Қоршаған бөлік: 5729

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 150% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 300% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 3µs,

Тілектер тізімі
H11AA1VM
ON Semiconductor

H11AA1VM

Қоршаған бөлік: 74037

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA,

Тілектер тізімі
H11F33SD
ON Semiconductor

H11F33SD

Қоршаған бөлік: 5562

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Қосу / өшіру уақыты (типі): 25µs, 25µs (Max),

Тілектер тізімі
MCT210SD
ON Semiconductor

MCT210SD

Қоршаған бөлік: 5574

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 150% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 1µs, 50µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1µs, 11µs,

Тілектер тізімі
MOC8108SD
ON Semiconductor

MOC8108SD

Қоршаған бөлік: 5590

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 250% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 600% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1µs, 2µs,

Тілектер тізімі
HMHA2801CR3
ON Semiconductor

HMHA2801CR3

Қоршаған бөлік: 5484

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 200% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 400% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 3µs,

Тілектер тізімі
MOC212R2VM
ON Semiconductor

MOC212R2VM

Қоршаған бөлік: 5730

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 7.5µs, 5.7µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3.2µs, 4.7µs,

Тілектер тізімі
CNX35UW
ON Semiconductor

CNX35UW

Қоршаған бөлік: 5663

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 40% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 160% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 20µs, 20µs,

Тілектер тізімі
HCPL2530V
ON Semiconductor

HCPL2530V

Қоршаған бөлік: 5565

Арналар саны: 2, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 7% @ 16mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 50% @ 16mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 450ns, 500ns,

Тілектер тізімі
MOC80503SD
ON Semiconductor

MOC80503SD

Қоршаған бөлік: 2598

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 500% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 3.5µs, 95µs,

Тілектер тізімі
H11A617AS
ON Semiconductor

H11A617AS

Қоршаған бөлік: 5539

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 40% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 80% @ 10mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 2.4µs, 2.4µs,

Тілектер тізімі
H11A817C3S
ON Semiconductor

H11A817C3S

Қоршаған бөлік: 5709

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 200% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 400% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 2.4µs, 2.4µs,

Тілектер тізімі
MCT271300
ON Semiconductor

MCT271300

Қоршаған бөлік: 5500

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 45% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 90% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 1µs, 48µs,

Тілектер тізімі
FOD2742AR1V
ON Semiconductor

FOD2742AR1V

Қоршаған бөлік: 5658

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 200% @ 10mA,

Тілектер тізімі
HMA2701R3
ON Semiconductor

HMA2701R3

Қоршаған бөлік: 5605

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 300% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 3µs,

Тілектер тізімі
MCT210W
ON Semiconductor

MCT210W

Қоршаған бөлік: 5498

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 150% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 1µs, 50µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1µs, 11µs,

Тілектер тізімі
MCT2201S
ON Semiconductor

MCT2201S

Қоршаған бөлік: 5600

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
H11A43S
ON Semiconductor

H11A43S

Қоршаған бөлік: 5570

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 10% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
MOC8100FR2VM
ON Semiconductor

MOC8100FR2VM

Қоршаған бөлік: 5500

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 30% @ 1mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 20µs, 20µs (Max), Көтерілу / құлау уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
FOD070L
ON Semiconductor

FOD070L

Қоршаған бөлік: 5632

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 400% @ 500µA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 7000% @ 500µA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 3µs, 50µs,

Тілектер тізімі
MOC82043S
ON Semiconductor

MOC82043S

Қоршаған бөлік: 5567

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 5µs,

Тілектер тізімі
SL5501
ON Semiconductor

SL5501

Қоршаған бөлік: 5623

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 25% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 400% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 20µs, 50µs (Max),

Тілектер тізімі
H11G3
ON Semiconductor

H11G3

Қоршаған бөлік: 2566

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 200% @ 1mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 100µs,

Тілектер тізімі
CNY17F1SD
ON Semiconductor

CNY17F1SD

Қоршаған бөлік: 5601

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 40% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 80% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1µs, 2µs,

Тілектер тізімі
HCPL0730
ON Semiconductor

HCPL0730

Қоршаған бөлік: 5562

Арналар саны: 2, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 300% @ 1.6mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 5000% @ 1.6mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 7µs,

Тілектер тізімі
H11D1SD
ON Semiconductor

H11D1SD

Қоршаған бөлік: 2637

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 5µs,

Тілектер тізімі
CNY17F4S
ON Semiconductor

CNY17F4S

Қоршаған бөлік: 5719

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 160% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 320% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1µs, 2µs,

Тілектер тізімі
H11G3S
ON Semiconductor

H11G3S

Қоршаған бөлік: 5644

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 200% @ 1mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 100µs,

Тілектер тізімі
H11A617D3S
ON Semiconductor

H11A617D3S

Қоршаған бөлік: 5481

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 160% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 320% @ 10mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 2.4µs, 2.4µs,

Тілектер тізімі
H11A3FVM
ON Semiconductor

H11A3FVM

Қоршаған бөлік: 5689

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі