Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Оптоизоляторлар - транзистор, фотоэлектрлік шығу

  • Үй
  •  
  • Оптоизоляторлар - транзистор, фотоэлектрлік шығу
MOCD223R1VM
ON Semiconductor

MOCD223R1VM

Қоршаған бөлік: 5928

Арналар саны: 2, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 500% @ 1mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 3.5µs, 95µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1µs, 2µs,

Тілектер тізімі
MCT2201300
ON Semiconductor

MCT2201300

Қоршаған бөлік: 5731

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
HMA121DR4
ON Semiconductor

HMA121DR4

Қоршаған бөлік: 5808

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 100% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 3µs,

Тілектер тізімі
FODM1009
ON Semiconductor

FODM1009

Қоршаған бөлік: 104185

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 200% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 400% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 5.7µs, 8.5µs,

Тілектер тізімі
H11AA4W
ON Semiconductor

H11AA4W

Қоршаған бөлік: 5853

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA,

Тілектер тізімі
H11A3TVM
ON Semiconductor

H11A3TVM

Қоршаған бөлік: 5903

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
CNY174W
ON Semiconductor

CNY174W

Қоршаған бөлік: 5884

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 160% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 320% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1µs, 2µs,

Тілектер тізімі
H11AG3300
ON Semiconductor

H11AG3300

Қоршаған бөлік: 5741

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 1mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 5µs,

Тілектер тізімі
MOC8103S
ON Semiconductor

MOC8103S

Қоршаған бөлік: 5819

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 108% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 173% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1µs, 2µs,

Тілектер тізімі
MOC8107
ON Semiconductor

MOC8107

Қоршаған бөлік: 5763

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 300% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1µs, 2µs,

Тілектер тізімі
FOD817AW
ON Semiconductor

FOD817AW

Қоршаған бөлік: 5832

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 80% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 160% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3µs,

Тілектер тізімі
HMHA2801BR1
ON Semiconductor

HMHA2801BR1

Қоршаған бөлік: 5915

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 130% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 260% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 3µs,

Тілектер тізімі
H11A817CW
ON Semiconductor

H11A817CW

Қоршаған бөлік: 5874

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 200% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 400% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 2.4µs, 2.4µs,

Тілектер тізімі
CNY17F33SD
ON Semiconductor

CNY17F33SD

Қоршаған бөлік: 5770

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 200% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1µs, 2µs,

Тілектер тізімі
TIL111300
ON Semiconductor

TIL111300

Қоршаған бөлік: 5979

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 10µs, 10µs (Max),

Тілектер тізімі
H11AA3SVM
ON Semiconductor

H11AA3SVM

Қоршаған бөлік: 5932

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 10mA,

Тілектер тізімі
HMHA281R1
ON Semiconductor

HMHA281R1

Қоршаған бөлік: 5893

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 600% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 3µs,

Тілектер тізімі
MOC8020-M
ON Semiconductor

MOC8020-M

Қоршаған бөлік: 5832

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 500% @ 10mA,

Тілектер тізімі
MOCD207R1VM
ON Semiconductor

MOCD207R1VM

Қоршаған бөлік: 5809

Арналар саны: 2, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 200% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 3µs, 2.8µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1.6µs, 2.2µs,

Тілектер тізімі
HMHA2801CR1
ON Semiconductor

HMHA2801CR1

Қоршаған бөлік: 5878

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 200% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 400% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 3µs,

Тілектер тізімі
HMA124R2
ON Semiconductor

HMA124R2

Қоршаған бөлік: 2664

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 1mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 1200% @ 1mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 3µs,

Тілектер тізімі
H11AA2W
ON Semiconductor

H11AA2W

Қоршаған бөлік: 5880

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 10% @ 10mA,

Тілектер тізімі
MOC81023SD
ON Semiconductor

MOC81023SD

Қоршаған бөлік: 5808

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 73% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 117% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1µs, 2µs,

Тілектер тізімі
SL55113SD
ON Semiconductor

SL55113SD

Қоршаған бөлік: 5802

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 25% @ 2mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 20µs, 50µs (Max),

Тілектер тізімі
HCPL0701R1
ON Semiconductor

HCPL0701R1

Қоршаған бөлік: 5841

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 500% @ 1.6mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 2600% @ 1.6mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 300ns, 1.6µs,

Тілектер тізімі
CNY171300
ON Semiconductor

CNY171300

Қоршаған бөлік: 5823

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 40% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 80% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1µs, 2µs,

Тілектер тізімі
H11AG1S
ON Semiconductor

H11AG1S

Қоршаған бөлік: 5854

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 1mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 5µs,

Тілектер тізімі
H11D2W
ON Semiconductor

H11D2W

Қоршаған бөлік: 2638

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 5µs,

Тілектер тізімі
MOC215R2VM
ON Semiconductor

MOC215R2VM

Қоршаған бөлік: 5894

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 1mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 4µs, 4µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 3µs,

Тілектер тізімі
H11AA23SD
ON Semiconductor

H11AA23SD

Қоршаған бөлік: 5732

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 10% @ 10mA,

Тілектер тізімі
MCT623S
ON Semiconductor

MCT623S

Қоршаған бөлік: 199705

Арналар саны: 2, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 5mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2.4µs, 2.4µs,

Тілектер тізімі
H11AA3W
ON Semiconductor

H11AA3W

Қоршаған бөлік: 5719

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 10mA,

Тілектер тізімі
MOC212R1M
ON Semiconductor

MOC212R1M

Қоршаған бөлік: 5804

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 7.5µs, 5.7µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3.2µs, 4.7µs,

Тілектер тізімі
FODM121FR1
ON Semiconductor

FODM121FR1

Қоршаған бөлік: 5880

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 600% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 3µs,

Тілектер тізімі
H11AA814AS
ON Semiconductor

H11AA814AS

Қоршаған бөлік: 6007

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 1mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 150% @ 1mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 2.4µs, 2.4µs,

Тілектер тізімі
H11B255300W
ON Semiconductor

H11B255300W

Қоршаған бөлік: 5717

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 25µs, 18µs,

Тілектер тізімі