Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Оптоизоляторлар - транзистор, фотоэлектрлік шығу

  • Үй
  •  
  • Оптоизоляторлар - транзистор, фотоэлектрлік шығу
H11A1TM
ON Semiconductor

H11A1TM

Қоршаған бөлік: 5834

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
H11B3300
ON Semiconductor

H11B3300

Қоршаған бөлік: 4309

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 1mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 25µs, 18µs,

Тілектер тізімі
MOC8112SD
ON Semiconductor

MOC8112SD

Қоршаған бөлік: 5808

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 4.2µs, 23µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 14µs,

Тілектер тізімі
FODM453R1V
ON Semiconductor

FODM453R1V

Қоршаған бөлік: 5749

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 16mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 50% @ 16mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 400ns, 350ns,

Тілектер тізімі
CNW85S
ON Semiconductor

CNW85S

Қоршаған бөлік: 5901

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5900Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 0.63% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 3.20% @ 10mA,

Тілектер тізімі
CNY174300
ON Semiconductor

CNY174300

Қоршаған бөлік: 5888

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 160% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 320% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1µs, 2µs,

Тілектер тізімі
HCPL0501R1
ON Semiconductor

HCPL0501R1

Қоршаған бөлік: 5759

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 19% @ 16mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 50% @ 16mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 450ns, 300ns,

Тілектер тізімі
CNY174S
ON Semiconductor

CNY174S

Қоршаған бөлік: 5906

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 160% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 320% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1µs, 2µs,

Тілектер тізімі
MOC223VM
ON Semiconductor

MOC223VM

Қоршаған бөлік: 5697

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 500% @ 1mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 10µs, 125µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 8µs, 110µs,

Тілектер тізімі
HMA121BR1V
ON Semiconductor

HMA121BR1V

Қоршаған бөлік: 5867

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 150% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 3µs,

Тілектер тізімі
FOD815S
ON Semiconductor

FOD815S

Қоршаған бөлік: 5820

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 600% @ 1mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 7500% @ 1mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 60µs, 53µs,

Тілектер тізімі
H11AG3SD
ON Semiconductor

H11AG3SD

Қоршаған бөлік: 2639

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 1mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 5µs,

Тілектер тізімі
FOD2743ATV
ON Semiconductor

FOD2743ATV

Қоршаған бөлік: 5824

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 1mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 100% @ 1mA,

Тілектер тізімі
MOC81073SD
ON Semiconductor

MOC81073SD

Қоршаған бөлік: 5809

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 300% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1µs, 2µs,

Тілектер тізімі
FODM121ER2V
ON Semiconductor

FODM121ER2V

Қоршаған бөлік: 5710

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 600% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 3µs,

Тілектер тізімі
MCT2ESVM
ON Semiconductor

MCT2ESVM

Қоршаған бөлік: 5854

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 2µs, 1.5µs,

Тілектер тізімі
CNX36US
ON Semiconductor

CNX36US

Қоршаған бөлік: 5850

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 80% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 200% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 20µs, 20µs,

Тілектер тізімі
MOC8100SR2M
ON Semiconductor

MOC8100SR2M

Қоршаған бөлік: 5737

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 30% @ 1mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 20µs, 20µs (Max), Көтерілу / құлау уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
CNW84300
ON Semiconductor

CNW84300

Қоршаған бөлік: 5707

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5900Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 0.63% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 3.20% @ 10mA,

Тілектер тізімі
HCPL0730R1
ON Semiconductor

HCPL0730R1

Қоршаған бөлік: 1468

Арналар саны: 2, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 300% @ 1.6mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 5000% @ 1.6mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 7µs,

Тілектер тізімі
CNW135300
ON Semiconductor

CNW135300

Қоршаған бөлік: 5913

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 7% @ 16mA,

Тілектер тізімі
MCT2200S
ON Semiconductor

MCT2200S

Қоршаған бөлік: 5866

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
HMA121DR2V
ON Semiconductor

HMA121DR2V

Қоршаған бөлік: 5718

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 100% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 3µs,

Тілектер тізімі
MOC8112S
ON Semiconductor

MOC8112S

Қоршаған бөлік: 5884

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 4.2µs, 23µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 14µs,

Тілектер тізімі
H11F1300
ON Semiconductor

H11F1300

Қоршаған бөлік: 2579

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Қосу / өшіру уақыты (типі): 25µs, 25µs (Max),

Тілектер тізімі
FODM8801AV
ON Semiconductor

FODM8801AV

Қоршаған бөлік: 166933

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 80% @ 1mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 160% @ 1mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 6µs, 6µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 5µs, 5.5µs,

Тілектер тізімі
HMA121BR3
ON Semiconductor

HMA121BR3

Қоршаған бөлік: 5798

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 150% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 3µs,

Тілектер тізімі
FOD2743CS
ON Semiconductor

FOD2743CS

Қоршаған бөлік: 5854

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 1mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 100% @ 1mA,

Тілектер тізімі
H11AG13SD
ON Semiconductor

H11AG13SD

Қоршаған бөлік: 5831

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 1mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 5µs,

Тілектер тізімі
H11B255W
ON Semiconductor

H11B255W

Қоршаған бөлік: 5774

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 25µs, 18µs,

Тілектер тізімі
H11A2W
ON Semiconductor

H11A2W

Қоршаған бөлік: 5931

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
H11G33S
ON Semiconductor

H11G33S

Қоршаған бөлік: 5918

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 200% @ 1mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 100µs,

Тілектер тізімі
H11A1FR2M
ON Semiconductor

H11A1FR2M

Қоршаған бөлік: 5804

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
H11B2SD
ON Semiconductor

H11B2SD

Қоршаған бөлік: 5893

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 200% @ 1mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 25µs, 18µs,

Тілектер тізімі
H11G2SVM
ON Semiconductor

H11G2SVM

Қоршаған бөлік: 5966

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 1000% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 100µs,

Тілектер тізімі
H11G2300
ON Semiconductor

H11G2300

Қоршаған бөлік: 5861

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 1000% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 100µs,

Тілектер тізімі