Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Оптоизоляторлар - транзистор, фотоэлектрлік шығу

  • Үй
  •  
  • Оптоизоляторлар - транзистор, фотоэлектрлік шығу
MOCD213R1VM
ON Semiconductor

MOCD213R1VM

Қоршаған бөлік: 5623

Арналар саны: 2, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 3µs, 2.8µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1.6µs, 2.2µs,

Тілектер тізімі
MOCD208R1VM
ON Semiconductor

MOCD208R1VM

Қоршаған бөлік: 5606

Арналар саны: 2, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 40% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 125% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 3µs, 2.8µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1.6µs, 2.2µs,

Тілектер тізімі
CNY17F13S
ON Semiconductor

CNY17F13S

Қоршаған бөлік: 5595

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 40% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 80% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1µs, 2µs,

Тілектер тізімі
FOD250LS
ON Semiconductor

FOD250LS

Қоршаған бөлік: 5667

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 15% @ 16mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 50% @ 16mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 1µs, 1µs (Max),

Тілектер тізімі
CNW82S
ON Semiconductor

CNW82S

Қоршаған бөлік: 5699

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5900Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 0.4% @ 10mA,

Тілектер тізімі
CNY17F2TM
ON Semiconductor

CNY17F2TM

Қоршаған бөлік: 5728

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 63% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 125% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3.5µs (Max),

Тілектер тізімі
MCT2200
ON Semiconductor

MCT2200

Қоршаған бөлік: 5541

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
FOD617DSD
ON Semiconductor

FOD617DSD

Қоршаған бөлік: 5589

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 160% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 320% @ 10mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3µs,

Тілектер тізімі
TIL113300
ON Semiconductor

TIL113300

Қоршаған бөлік: 5691

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 300% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 350ns, 55µs,

Тілектер тізімі
H11A2VM
ON Semiconductor

H11A2VM

Қоршаған бөлік: 5600

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
MOC80503S
ON Semiconductor

MOC80503S

Қоршаған бөлік: 5564

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 500% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 3.5µs, 95µs,

Тілектер тізімі
FOD2743B
ON Semiconductor

FOD2743B

Қоршаған бөлік: 96266

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 1mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 100% @ 1mA,

Тілектер тізімі
MOC206R1M
ON Semiconductor

MOC206R1M

Қоршаған бөлік: 5699

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 63% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 125% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 7.5µs, 5.7µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3.2µs, 4.7µs,

Тілектер тізімі
H11F3W
ON Semiconductor

H11F3W

Қоршаған бөлік: 5736

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Қосу / өшіру уақыты (типі): 25µs, 25µs (Max),

Тілектер тізімі
CNX39U300W
ON Semiconductor

CNX39U300W

Қоршаған бөлік: 5531

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 60% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 100% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 20µs, 20µs,

Тілектер тізімі
HMA121A
ON Semiconductor

HMA121A

Қоршаған бөлік: 5525

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 300% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 3µs,

Тілектер тізімі
MOC81123S
ON Semiconductor

MOC81123S

Қоршаған бөлік: 5735

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 4.2µs, 23µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 14µs,

Тілектер тізімі
CNY1713SD
ON Semiconductor

CNY1713SD

Қоршаған бөлік: 5637

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 40% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 80% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1µs, 2µs,

Тілектер тізімі
H11A817BSD
ON Semiconductor

H11A817BSD

Қоршаған бөлік: 2633

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 130% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 260% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 2.4µs, 2.4µs,

Тілектер тізімі
H11A617BW
ON Semiconductor

H11A617BW

Қоршаған бөлік: 5722

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 63% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 125% @ 10mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 2.4µs, 2.4µs,

Тілектер тізімі
H11A817B3SD
ON Semiconductor

H11A817B3SD

Қоршаған бөлік: 5586

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 130% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 260% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 2.4µs, 2.4µs,

Тілектер тізімі
H11AV1FVM
ON Semiconductor

H11AV1FVM

Қоршаған бөлік: 5558

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 300% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 15µs, 15µs (Max),

Тілектер тізімі
CNY172
ON Semiconductor

CNY172

Қоршаған бөлік: 5528

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 63% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 125% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1µs, 2µs,

Тілектер тізімі
MOC8112M
ON Semiconductor

MOC8112M

Қоршаған бөлік: 5571

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 4.2µs, 23µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 14µs,

Тілектер тізімі
H11A33SD
ON Semiconductor

H11A33SD

Қоршаған бөлік: 5669

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
CNY17F3SR2M_F132
ON Semiconductor

CNY17F3SR2M_F132

Қоршаған бөлік: 5670

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 200% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3.5µs (Max),

Тілектер тізімі
MOC215VM
ON Semiconductor

MOC215VM

Қоршаған бөлік: 5694

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 1mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 4µs, 4µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 3µs,

Тілектер тізімі
TIL111SVM
ON Semiconductor

TIL111SVM

Қоршаған бөлік: 5567

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 10µs, 10µs (Max),

Тілектер тізімі
MOC1193S
ON Semiconductor

MOC1193S

Қоршаған бөлік: 5734

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 300% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 3.5µs, 95µs,

Тілектер тізімі
TIL111TM
ON Semiconductor

TIL111TM

Қоршаған бөлік: 5566

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 10µs, 10µs (Max),

Тілектер тізімі
MCT2EFR2VM
ON Semiconductor

MCT2EFR2VM

Қоршаған бөлік: 5588

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 2µs, 1.5µs,

Тілектер тізімі
H11D4S
ON Semiconductor

H11D4S

Қоршаған бөлік: 5524

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 10% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 5µs,

Тілектер тізімі
H11G2W
ON Semiconductor

H11G2W

Қоршаған бөлік: 5546

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 1000% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 100µs,

Тілектер тізімі
HMA121FR1V
ON Semiconductor

HMA121FR1V

Қоршаған бөлік: 5556

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 600% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 3µs,

Тілектер тізімі
MCT2713SD
ON Semiconductor

MCT2713SD

Қоршаған бөлік: 5637

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 45% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 90% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 1µs, 48µs,

Тілектер тізімі
MOC80803S
ON Semiconductor

MOC80803S

Қоршаған бөлік: 2571

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 3.5µs, 25µs,

Тілектер тізімі