Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Диодтар - түзеткіштер - жалғыз

  • Үй
  •  
  • Диодтар - түзеткіштер - жалғыз
BY268TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY268TAP

Қоршаған бөлік: 122912

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1400V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 800mA, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.25V @ 400mA, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 400ns,

Тілектер тізімі
BYV27-050-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-050-TR

Қоршаған бөлік: 170832

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 55V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.07V @ 3A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 25ns,

Тілектер тізімі
BYT51D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51D-TR

Қоршаған бөлік: 169988

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BYT62-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT62-TR

Қоршаған бөлік: 158535

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 2400V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 350mA, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 3.6V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 5µs,

Тілектер тізімі
BYV12-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV12-TAP

Қоршаған бөлік: 133807

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 100V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.5V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 300ns,

Тілектер тізімі
BYV37-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV37-TR

Қоршаған бөлік: 166239

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 800V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 300ns,

Тілектер тізімі
BYT53A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53A-TAP

Қоршаған бөлік: 162849

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 50V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.9A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 50ns,

Тілектер тізімі
BYT54M-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54M-TR

Қоршаған бөлік: 154344

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1000V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.25A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.5V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 100ns,

Тілектер тізімі
BY448TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY448TAP

Қоршаған бөлік: 127685

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1500V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.6V @ 3A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 2µs,

Тілектер тізімі
BYX83TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX83TAP

Қоршаған бөлік: 178566

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 400V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BYT52A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52A-TAP

Қоршаған бөлік: 107418

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 50V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.4A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.3V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 200ns,

Тілектер тізімі
BYT51B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51B-TAP

Қоршаған бөлік: 155091

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 100V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BYT53F-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53F-TAP

Қоршаған бөлік: 140893

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 300V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.9A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 50ns,

Тілектер тізімі
BYT51J-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51J-TR

Қоршаған бөлік: 113210

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 600V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BYT54K-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54K-TR

Қоршаған бөлік: 120137

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 800V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.25A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.5V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 100ns,

Тілектер тізімі
BYX83TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX83TR

Қоршаған бөлік: 176417

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 400V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BYT53B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53B-TR

Қоршаған бөлік: 161256

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 100V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.9A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 50ns,

Тілектер тізімі
BYX84TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX84TR

Қоршаған бөлік: 147051

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 600V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BYT53C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53C-TAP

Қоршаған бөлік: 127986

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 150V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.9A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 50ns,

Тілектер тізімі
BYT52M-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52M-TR

Қоршаған бөлік: 178212

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1000V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.4A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.3V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 200ns,

Тілектер тізімі
BYT54D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54D-TR

Қоршаған бөлік: 142835

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.25A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.5V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 100ns,

Тілектер тізімі
BYV12-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV12-TR

Қоршаған бөлік: 156566

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 100V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.5V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 300ns,

Тілектер тізімі
BYT53B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53B-TAP

Қоршаған бөлік: 198030

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 100V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.9A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 50ns,

Тілектер тізімі
BY527TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY527TR

Қоршаған бөлік: 197736

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 800V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.65V @ 10A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BY458TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY458TR

Қоршаған бөлік: 132572

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.6V @ 3A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 2µs,

Тілектер тізімі
BY203-12STAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-12STAP

Қоршаған бөлік: 198779

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 250mA (DC), Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 2.4V @ 200mA, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 300ns,

Тілектер тізімі
BYW35-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW35-TR

Қоршаған бөлік: 168310

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 500V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 200ns,

Тілектер тізімі
BYX84TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX84TAP

Қоршаған бөлік: 129025

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 600V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BYT51A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51A-TAP

Қоршаған бөлік: 197129

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 50V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BYT51M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51M-TAP

Қоршаған бөлік: 143955

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1000V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BY527TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY527TAP

Қоршаған бөлік: 135313

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 800V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.65V @ 10A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BYT51G-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51G-TAP

Қоршаған бөлік: 191378

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 400V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BYV13-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV13-TAP

Қоршаған бөлік: 199601

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 400V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.5V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 300ns,

Тілектер тізімі
BYX82TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX82TAP

Қоршаған бөлік: 116196

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BYM12-300-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-300-E3/96

Қоршаған бөлік: 143123

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 300V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.25V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 50ns,

Тілектер тізімі
BYM12-400HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-400HE3_A/I

Қоршаған бөлік: 205

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 400V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.25V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 50ns,

Тілектер тізімі