Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Диодтар - түзеткіштер - жалғыз

  • Үй
  •  
  • Диодтар - түзеткіштер - жалғыз
BYT51G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51G-TR

Қоршаған бөлік: 108131

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 400V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BY203-16STAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-16STAP

Қоршаған бөлік: 136970

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 250mA (DC), Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 2.4V @ 200mA, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 300ns,

Тілектер тізімі
BY203-20STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-20STR

Қоршаған бөлік: 118044

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 2000V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 250mA, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 2.4V @ 200mA, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 300ns,

Тілектер тізімі
BYT54B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54B-TR

Қоршаған бөлік: 167643

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 100V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.25A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.5V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 100ns,

Тілектер тізімі
BYT54G-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54G-TAP

Қоршаған бөлік: 143810

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 400V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.25A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.5V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 100ns,

Тілектер тізімі
BYT51K-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51K-TAP

Қоршаған бөлік: 146683

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 800V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BYW33-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW33-TR

Қоршаған бөлік: 150277

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 300V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 200ns,

Тілектер тізімі
BYV16-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV16-TAP

Қоршаған бөлік: 117767

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1000V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.5V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 300ns,

Тілектер тізімі
BYV15-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV15-TAP

Қоршаған бөлік: 146909

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 800V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.5V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 300ns,

Тілектер тізімі
BYX85TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX85TR

Қоршаған бөлік: 166400

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 800V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BYT54J-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54J-TAP

Қоршаған бөлік: 131415

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 600V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.25A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.5V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 100ns,

Тілектер тізімі
BYT54K-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54K-TAP

Қоршаған бөлік: 128469

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 800V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.25A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.5V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 100ns,

Тілектер тізімі
BYX86TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX86TR

Қоршаған бөлік: 169144

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1000V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BYW34-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW34-TAP

Қоршаған бөлік: 116076

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 400V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 200ns,

Тілектер тізімі
BYW33-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW33-TAP

Қоршаған бөлік: 105440

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 300V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 200ns,

Тілектер тізімі
BYT51K-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51K-TR

Қоршаған бөлік: 182442

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 800V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BYV16-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV16-TR

Қоршаған бөлік: 179220

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1000V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.5V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 300ns,

Тілектер тізімі
BYV37-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV37-TAP

Қоршаған бөлік: 150638

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 800V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 300ns,

Тілектер тізімі
BYT54B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54B-TAP

Қоршаған бөлік: 199187

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 100V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.25A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.5V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 100ns,

Тілектер тізімі
BYT54G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54G-TR

Қоршаған бөлік: 134763

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 400V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.25A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.5V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 100ns,

Тілектер тізімі
BYV14-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV14-TR

Қоршаған бөлік: 153828

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 600V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.5V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 300ns,

Тілектер тізімі
BYT52D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52D-TAP

Қоршаған бөлік: 150232

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.4A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.3V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 200ns,

Тілектер тізімі
BYT53G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53G-TR

Қоршаған бөлік: 132124

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 400V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.9A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 50ns,

Тілектер тізімі
BYX85TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX85TAP

Қоршаған бөлік: 142054

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 800V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BYT53D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53D-TAP

Қоршаған бөлік: 196848

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.9A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 50ns,

Тілектер тізімі
BYW32-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW32-TAP

Қоршаған бөлік: 187387

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 200ns,

Тілектер тізімі
BYT52K-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52K-TAP

Қоршаған бөлік: 163520

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 800V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.4A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.3V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 200ns,

Тілектер тізімі
BYT54A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54A-TAP

Қоршаған бөлік: 169667

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 50V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.25A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.5V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 100ns,

Тілектер тізімі
BYT53A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53A-TR

Қоршаған бөлік: 125422

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 50V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.9A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 50ns,

Тілектер тізімі
BYT54A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54A-TR

Қоршаған бөлік: 135093

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 50V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.25A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.5V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 100ns,

Тілектер тізімі
BYW52-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW52-TAP

Қоршаған бөлік: 182850

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BYV27-050-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-050-TAP

Қоршаған бөлік: 172017

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 55V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.07V @ 3A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 25ns,

Тілектер тізімі
BYT54D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54D-TAP

Қоршаған бөлік: 111860

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.25A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.5V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 100ns,

Тілектер тізімі
BYW55-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW55-TR

Қоршаған бөлік: 170956

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 800V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BYW35-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW35-TAP

Қоршаған бөлік: 181459

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 500V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 200ns,

Тілектер тізімі
BYT52K-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52K-TR

Қоршаған бөлік: 162625

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 800V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.4A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.3V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 200ns,

Тілектер тізімі