Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

Үй
Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

Vishay Siliconix

2N6661JTXV02

Қоршаған бөлік: 1822

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 90V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 860mA (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

2N6661JTXL02

Қоршаған бөлік: 6256

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 90V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 860mA (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

2N6661JTVP02

Қоршаған бөлік: 1814

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 90V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 860mA (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

2N6661JTX02

Қоршаған бөлік: 1843

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 90V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 860mA (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

2N6661-E3

Қоршаған бөлік: 1817

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 90V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 860mA (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

2N6661-2

Қоршаған бөлік: 1824

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 90V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 860mA (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

2N6660JTXV02

Қоршаған бөлік: 1839

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 990mA (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

2N6660JTXP02

Қоршаған бөлік: 1797

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 990mA (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

2N6660JTX02

Қоршаған бөлік: 1843

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 990mA (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

2N6660JTXL02

Қоршаған бөлік: 1782

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 990mA (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

2N6660-E3

Қоршаған бөлік: 1842

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 990mA (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

2N6660JTVP02

Қоршаған бөлік: 1813

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 990mA (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

2N7002-E3

Қоршаған бөлік: 1534

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

2N7002E

Қоршаған бөлік: 125033

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 240mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 250mA, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

2N7002-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 166741

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

2N6661JAN02

Қоршаған бөлік: 9463

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 90V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 860mA (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

2N6661JTXP02

Қоршаған бөлік: 9544

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 90V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 860mA (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

2N6660-2

Қоршаған бөлік: 9516

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 990mA (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

2N7002E-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 199703

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 240mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 250mA, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

2N7002-T1-E3

Қоршаған бөлік: 146560

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

2N7002E-T1-E3

Қоршаған бөлік: 175390

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 240mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 250mA, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

2N7002K-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 122158

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

2N7002K-T1-E3

Қоршаған бөлік: 162145

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

3N164

Қоршаған бөлік: 1783

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 50mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 Ohm @ 100µA, 20V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

3N163-E3

Қоршаған бөлік: 1851

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 50mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 Ohm @ 100µA, 20V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

3N163

Қоршаған бөлік: 1830

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 50mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 Ohm @ 100µA, 20V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

3N163-2

Қоршаған бөлік: 6254

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 50mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 Ohm @ 100µA, 20V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

BS250KL-TR1-E3

Қоршаған бөлік: 409

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 270mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

SIHFS9N60A-GE3

Қоршаған бөлік: 106

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFR010TRLPBF

Қоршаған бөлік: 112484

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 50V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8.2A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRF630STRLPBF

Қоршаған бөлік: 77056

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 5.4A, 10V,

Тілектер тізімі

SIS429DNT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS429DNT-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 99

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 10.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRF840ASTRRPBF

Қоршаған бөлік: 39752

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRF840LC

Қоршаған бөлік: 18635

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFI730GPBF

Қоршаған бөлік: 30867

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 400V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.7A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.1A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRF610LPBF

Қоршаған бөлік: 82205

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.3A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2A, 10V,

Тілектер тізімі

3600

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»