Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Транзисторлар - IGBT - модульдер

  • Үй
  •  
  • Транзисторлар - IGBT - модульдер
50MT060ULS
Vishay Semiconductor Diodes Division

50MT060ULS

Қоршаған бөлік: 371

Конфигурация: Single, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 600V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100A, Қуат - максимум: 445W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 100A,

Тілектер тізімі
50MT060WH
Vishay Semiconductor Diodes Division

50MT060WH

Қоршаған бөлік: 3045

IGBT түрі: PT, Конфигурация: Half Bridge, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 600V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 114A, Қуат - максимум: 658W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 100A,

Тілектер тізімі
VS-GB200TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB200TH120N

Қоршаған бөлік: 241

Конфигурация: Half Bridge, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 1200V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 360A, Қуат - максимум: 1136W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 200A,

Тілектер тізімі
VS-GB100TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB100TH120N

Қоршаған бөлік: 318

Конфигурация: Half Bridge, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 1200V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 200A, Қуат - максимум: 833W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 100A,

Тілектер тізімі
VS-GB200TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB200TH120U

Қоршаған бөлік: 226

Конфигурация: Half Bridge, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 1200V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 330A, Қуат - максимум: 1316W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 200A,

Тілектер тізімі
VS-GB100NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB100NH120N

Қоршаған бөлік: 352

Конфигурация: Single, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 1200V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 200A, Қуат - максимум: 833W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 100A,

Тілектер тізімі
VS-GB75TP120U
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB75TP120U

Қоршаған бөлік: 963

Конфигурация: Half Bridge, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 1200V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 105A, Қуат - максимум: 500W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 75A (Typ),

Тілектер тізімі
VS-ETF150Y65U
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ETF150Y65U

Қоршаған бөлік: 880

IGBT түрі: Trench, Конфигурация: Three Level Inverter, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 650V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 142A, Қуат - максимум: 417W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 2.06V @ 15V, 100A,

Тілектер тізімі
VS-GA200TH60S
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GA200TH60S

Қоршаған бөлік: 280

Конфигурация: Half Bridge, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 600V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 260A, Қуат - максимум: 1042W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A (Typ),

Тілектер тізімі
CPV363M4K
Vishay Semiconductor Diodes Division

CPV363M4K

Қоршаған бөлік: 1862

Конфигурация: Three Phase Inverter, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 600V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 11A, Қуат - максимум: 36W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 11A,

Тілектер тізімі
VS-GT400TH60N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GT400TH60N

Қоршаған бөлік: 181

IGBT түрі: Trench, Конфигурация: Half Bridge, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 600V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 530A, Қуат - максимум: 1600W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 400A,

Тілектер тізімі
VS-GB50TP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB50TP120N

Қоршаған бөлік: 1128

Конфигурация: Half Bridge, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 1200V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100A, Қуат - максимум: 446W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A,

Тілектер тізімі
VS-GB15XP120KTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB15XP120KTPBF

Қоршаған бөлік: 1583

IGBT түрі: NPT, Конфигурация: Three Phase Inverter, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 1200V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30A, Қуат - максимум: 187W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 3.66V @ 15V, 30A,

Тілектер тізімі
VS-GB400AH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB400AH120U

Қоршаған бөлік: 463

Конфигурация: Single, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 1200V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 550A, Қуат - максимум: 2841W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 400A,

Тілектер тізімі
VS-ETL015Y120H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ETL015Y120H

Қоршаған бөлік: 968

IGBT түрі: Trench, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 1200V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 22A, Қуат - максимум: 89W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 3.03V @ 15V, 15A,

Тілектер тізімі
VS-20MT120UFP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20MT120UFP

Қоршаған бөлік: 1375

IGBT түрі: NPT, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 1200V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 40A, Қуат - максимум: 240W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 4.66V @ 15V, 40A,

Тілектер тізімі
VS-GB400TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB400TH120N

Қоршаған бөлік: 369

Конфигурация: Half Bridge, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 1200V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 800A, Қуат - максимум: 2604W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A (Typ),

Тілектер тізімі
VS-ENQ030L120S
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ENQ030L120S

Қоршаған бөлік: 704

IGBT түрі: Trench, Конфигурация: Three Level Inverter, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 1200V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 61A, Қуат - максимум: 216W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 2.52V @ 15V, 30A,

Тілектер тізімі
VS-GB100TP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB100TP120N

Қоршаған бөлік: 844

Конфигурация: Half Bridge, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 1200V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 200A, Қуат - максимум: 650W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

Тілектер тізімі
VS-GA300TD60S
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GA300TD60S

Қоршаған бөлік: 525

Конфигурация: Half Bridge, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 600V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 530A, Қуат - максимум: 1136W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 300A,

Тілектер тізімі
VS-GB300NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB300NH120N

Қоршаған бөлік: 475

Конфигурация: Single, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 1200V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500A, Қуат - максимум: 1645W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A,

Тілектер тізімі
VS-GB100LP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB100LP120N

Қоршаған бөлік: 1012

Конфигурация: Single, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 1200V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 200A, Қуат - максимум: 658W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 100A (Typ),

Тілектер тізімі
VS-GB150LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB150LH120N

Қоршаған бөлік: 713

Конфигурация: Single, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 1200V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 300A, Қуат - максимум: 1389W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 1.87V @ 15V, 150A (Typ),

Тілектер тізімі
VS-GT300YH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GT300YH120N

Қоршаған бөлік: 483

IGBT түрі: Trench, Конфигурация: Half Bridge, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 1200V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 341A, Қуат - максимум: 1042W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 2.17V @ 15V, 300A (Typ),

Тілектер тізімі
VS-GB150YG120NT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB150YG120NT

Қоршаған бөлік: 756

IGBT түрі: NPT, Конфигурация: Full Bridge, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 1200V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 182A, Қуат - максимум: 892W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 200A,

Тілектер тізімі
VS-70MT060WHTAPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70MT060WHTAPBF

Қоршаған бөлік: 1353

IGBT түрі: NPT, Конфигурация: Half Bridge, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 600V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100A, Қуат - максимум: 347W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 140A,

Тілектер тізімі
VS-GB90SA120U
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB90SA120U

Қоршаған бөлік: 973

IGBT түрі: NPT, Конфигурация: Single, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 1200V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 149A, Қуат - максимум: 862W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

Тілектер тізімі
VS-ETF075Y60U
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ETF075Y60U

Қоршаған бөлік: 825

IGBT түрі: Trench, Конфигурация: Three Level Inverter, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 600V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 109A, Қуат - максимум: 294W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 1.93V @ 15V, 75A,

Тілектер тізімі
VS-GT50TP60N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GT50TP60N

Қоршаған бөлік: 555

IGBT түрі: Trench, Конфигурация: Half Bridge, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 600V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 85A, Қуат - максимум: 208W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Тілектер тізімі
VS-GB600AH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB600AH120N

Қоршаған бөлік: 352

Конфигурация: Single, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 1200V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 910A, Қуат - максимум: 3125W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 600A (Typ),

Тілектер тізімі
VS-40MT120UHTAPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40MT120UHTAPBF

Қоршаған бөлік: 894

IGBT түрі: NPT, Конфигурация: Half Bridge, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 1200V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 80A, Қуат - максимум: 463W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 4.91V @ 15V, 80A,

Тілектер тізімі
VS-GB100YG120NT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB100YG120NT

Қоршаған бөлік: 804

IGBT түрі: NPT, Конфигурация: Full Bridge, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 1200V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 127A, Қуат - максимум: 625W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 100A,

Тілектер тізімі
VS-GB200LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB200LH120N

Қоршаған бөлік: 292

Конфигурация: Single, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 1200V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 370A, Қуат - максимум: 1562W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 2.07V @ 15V, 200A (Typ),

Тілектер тізімі
CPV362M4U
Vishay Semiconductor Diodes Division

CPV362M4U

Қоршаған бөлік: 2219

Конфигурация: Three Phase Inverter, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 600V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 7.2A, Қуат - максимум: 23W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7.2A,

Тілектер тізімі
VS-GB300TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB300TH120U

Қоршаған бөлік: 176

Конфигурация: Half Bridge, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 1200V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 530A, Қуат - максимум: 2119W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 300A,

Тілектер тізімі
VS-GB100TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB100TH120U

Қоршаған бөлік: 269

IGBT түрі: NPT, Конфигурация: Half Bridge, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 1200V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 200A, Қуат - максимум: 1136W, Vce (қосулы) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 100A,

Тілектер тізімі