Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Диодтар - түзеткіштер - жалғыз

  • Үй
  •  
  • Диодтар - түзеткіштер - жалғыз
BYV13-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV13-TR

Қоршаған бөлік: 173494

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 400V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.5V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 300ns,

Тілектер тізімі
BYW56-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW56-TR

Қоршаған бөлік: 187466

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1000V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BYT52J-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52J-TR

Қоршаған бөлік: 191673

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 600V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.4A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.3V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 200ns,

Тілектер тізімі
BY448TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY448TR

Қоршаған бөлік: 172184

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1500V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.6V @ 3A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 20µs,

Тілектер тізімі
BYW53-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW53-TAP

Қоршаған бөлік: 190341

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 400V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BYT51A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51A-TR

Қоршаған бөлік: 147603

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 50V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BYV27-100-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-100-TAP

Қоршаған бөлік: 123328

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 100V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.07V @ 3A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 25ns,

Тілектер тізімі
BYW34-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW34-TR

Қоршаған бөлік: 188604

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 400V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 200ns,

Тілектер тізімі
BY458TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY458TAP

Қоршаған бөлік: 191488

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.6V @ 3A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 2µs,

Тілектер тізімі
BYW54-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW54-TAP

Қоршаған бөлік: 168015

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 600V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BY203-12STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-12STR

Қоршаған бөлік: 146211

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 250mA (DC), Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 2.4V @ 200mA, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 300ns,

Тілектер тізімі
BYV26A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26A-TR

Қоршаған бөлік: 159673

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 2.5V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 30ns,

Тілектер тізімі
BYT51M-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51M-TR

Қоршаған бөлік: 150205

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1000V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BYT53D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53D-TR

Қоршаған бөлік: 133955

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.9A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 50ns,

Тілектер тізімі
BYW52-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW52-TR

Қоршаған бөлік: 120246

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BYT53F-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53F-TR

Қоршаған бөлік: 129638

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 300V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.9A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 50ns,

Тілектер тізімі
BYT52G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52G-TR

Қоршаған бөлік: 101825

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 400V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.4A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.3V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 200ns,

Тілектер тізімі
BYT53C-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53C-TR

Қоршаған бөлік: 136092

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 150V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.9A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 50ns,

Тілектер тізімі
BYT51D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51D-TAP

Қоршаған бөлік: 171145

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BYX82TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX82TR

Қоршаған бөлік: 122323

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BYT52A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52A-TR

Қоршаған бөлік: 171100

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 50V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.4A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.3V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 200ns,

Тілектер тізімі
BY203-16STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-16STR

Қоршаған бөлік: 198364

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 250mA (DC), Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 2.4V @ 200mA, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 300ns,

Тілектер тізімі
BYT52J-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52J-TAP

Қоршаған бөлік: 189810

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 600V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.4A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.3V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 200ns,

Тілектер тізімі
BYV26B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26B-TR

Қоршаған бөлік: 113210

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 400V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 2.5V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 30ns,

Тілектер тізімі
BYT54J-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54J-TR

Қоршаған бөлік: 120006

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 600V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.25A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.5V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 100ns,

Тілектер тізімі
BYT51J-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51J-TAP

Қоршаған бөлік: 148264

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 600V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BYT52D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52D-TR

Қоршаған бөлік: 180394

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.4A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.3V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 200ns,

Тілектер тізімі
BYV27-600-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-600-TR

Қоршаған бөлік: 176295

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 600V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.35V @ 3A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 250ns,

Тілектер тізімі
BYT52G-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52G-TAP

Қоршаған бөлік: 172719

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 400V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.4A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.3V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 200ns,

Тілектер тізімі
BYT53G-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53G-TAP

Қоршаған бөлік: 186525

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 400V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.9A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 50ns,

Тілектер тізімі
BYV14-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV14-TAP

Қоршаған бөлік: 133078

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 600V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.5V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 300ns,

Тілектер тізімі
BYV15-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV15-TR

Қоршаған бөлік: 148751

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 800V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.5V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 300ns,

Тілектер тізімі
BYT52B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52B-TAP

Қоршаған бөлік: 190774

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 100V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.4A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.3V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 200ns,

Тілектер тізімі
BYT51B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51B-TR

Қоршаған бөлік: 190671

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 100V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BYW54-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW54-TR

Қоршаған бөлік: 150177

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 600V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BYW53-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW53-TR

Қоршаған бөлік: 100202

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 400V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі