Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Транзисторлар - FET, MOSFET - массивтер

  • Үй
  •  
  • Транзисторлар - FET, MOSFET - массивтер
SI4936ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4936ADY-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 77137

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI4920DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4920DY-T1-E3

Қоршаған бөлік: 2966

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Тілектер тізімі
SI1905BDH-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1905BDH-T1-E3

Қоршаған бөлік: 3022

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 8V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 630mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 542 mOhm @ 580mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI4904DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4904DY-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 68499

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI4900DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4900DY-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 132105

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SIA907EDJT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA907EDJT-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 150001

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI4804CDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4804CDY-T1-E3

Қоршаған бөлік: 129067

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI4922BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4922BDY-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 93125

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SQJQ900E-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJQ900E-T1_GE3

Қоршаған бөлік: 69083

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI6963BDQ-T1-E3
Vishay Siliconix

SI6963BDQ-T1-E3

Қоршаған бөлік: 3001

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI4539ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4539ADY-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 3314

FET түрі: N and P-Channel, FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.4A, 3.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Тілектер тізімі
SI4816BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4816BDY-T1-E3

Қоршаған бөлік: 93648

FET түрі: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5.8A, 8.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI1023X-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1023X-T1-E3

Қоршаған бөлік: 2929

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 370mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

Тілектер тізімі
SQ3987EV-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ3987EV-T1_GE3

Қоршаған бөлік: 16233

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI5915DC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5915DC-T1-E3

Қоршаған бөлік: 2988

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 8V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

Тілектер тізімі
SI3585DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3585DV-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 3014

FET түрі: N and P-Channel, FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2A, 1.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min),

Тілектер тізімі
SI7956DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7956DP-T1-E3

Қоршаған бөлік: 43929

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 150V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI3552DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3552DV-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 189573

FET түрі: N and P-Channel, FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Тілектер тізімі
SQJ956EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ956EP-T1_GE3

Қоршаған бөлік: 9990

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.7 mOhm @ 5.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI7940DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7940DP-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 2920

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 12V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI4936ADY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4936ADY-T1-E3

Қоршаған бөлік: 77138

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI5933CDC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5933CDC-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 181122

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI7223DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7223DN-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 9952

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI9933CDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI9933CDY-T1-E3

Қоршаған бөлік: 154905

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SIZ346DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ346DT-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 9988

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5 mOhm @ 10A, 10V, 11.5 mOhm @ 14.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SIZ728DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ728DT-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 110130

FET түрі: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 16A, 35A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI4288DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4288DY-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 118896

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI5938DU-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5938DU-T1-E3

Қоршаған бөлік: 2940

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI4650DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4650DY-T1-E3

Қоршаған бөлік: 2953

FET түрі: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA,

Тілектер тізімі
SI5997DU-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5997DU-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 168303

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SIZ350DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ350DT-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 220

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 18.5A (Ta), 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI4590DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4590DY-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 189788

FET түрі: N and P-Channel, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.4A, 2.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI3900DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3900DV-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 169893

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI1023X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1023X-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 119178

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 370mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

Тілектер тізімі
SI1902DL-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1902DL-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 162518

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 660mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 660mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI4532CDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4532CDY-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 107643

FET түрі: N and P-Channel, FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6A, 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Тілектер тізімі