| Басу | Суреттеме |
| Бөлімнің күйі | Active |
|---|---|
| FET түрі | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET ерекшелігі | Logic Level Gate |
| Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 30V |
| Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 5.8A, 8.2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.5 mOhm @ 6.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 5V |
| Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Қуат - максимум | 1W, 1.25W |
| Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Монтаж түрі | Surface Mount |
| Пакет / Корпус | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Жабдықтаушының құрылғы пакеті | 8-SO |
| Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
|---|---|
| Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
| Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
| Қор санаты | Қол жетімді қор |
