Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Транзисторлар - FET, MOSFET - массивтер

  • Үй
  •  
  • Транзисторлар - FET, MOSFET - массивтер
SI7216DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7216DN-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 113546

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI4963BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4963BDY-T1-E3

Қоршаған бөлік: 147270

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI1926DL-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1926DL-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 137693

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 370mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 340mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SQJQ906E-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJQ906E-T1_GE3

Қоршаған бөлік: 8627

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 95A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI4542DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4542DY-T1-E3

Қоршаған бөлік: 5348

FET түрі: N and P-Channel, FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Тілектер тізімі
SIZ320DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ320DT-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 9923

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 8A, 10V, 4.24 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SIZ926DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ926DT-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 127180

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SIZ328DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ328DT-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 221

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 5A, 10V, 10 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SIZF916DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZF916DT-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 281

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 23A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI7905DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7905DN-T1-E3

Қоршаған бөлік: 73624

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI1900DL-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1900DL-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 337

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 630mA (Ta), 590mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 590mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SISB46DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISB46DN-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 104289

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.71 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SIZ988DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ988DT-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 16265

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 10A, 10V, 4.1 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI6913DQ-T1-E3
Vishay Siliconix

SI6913DQ-T1-E3

Қоршаған бөлік: 71472

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 12V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 5.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 400µA,

Тілектер тізімі
SI4670DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4670DY-T1-E3

Қоршаған бөлік: 139946

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI5922DU-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5922DU-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 127635

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SIZ348DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ348DT-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 277

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SIA931DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA931DJ-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 160155

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI5904DC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5904DC-T1-E3

Қоршаған бөлік: 2972

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI4965DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4965DY-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 3019

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

Тілектер тізімі
SI1902CDL-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1902CDL-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 181662

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SIA936EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA936EDJ-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 3020

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SQ4532AEY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4532AEY-T1_GE3

Қоршаған бөлік: 10809

FET түрі: N and P-Channel, FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 4.9A, 10V, 70 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI4532ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4532ADY-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 135915

FET түрі: N and P-Channel, FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.7A, 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI7236DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7236DP-T1-E3

Қоршаған бөлік: 45599

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 60A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI4936BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4936BDY-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 125167

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SIZ902DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ902DT-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 110652

FET түрі: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 16A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 13.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SIZ720DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ720DT-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 109371

FET түрі: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 16A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 16.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI4200DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4200DY-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 161224

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SQJ560EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ560EP-T1_GE3

Қоршаған бөлік: 9941

FET түрі: N and P-Channel, FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10A, 10V, 52.6 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI4542DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4542DY-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 2980

FET түрі: N and P-Channel, FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Тілектер тізімі
SQJ941EP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SQJ941EP-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 3133

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SQJ200EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ200EP-T1_GE3

Қоршаған бөлік: 165186

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 20A, 60A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SIZF906DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZF906DT-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 98746

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI4963BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4963BDY-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 89691

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI5517DU-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5517DU-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 139934

FET түрі: N and P-Channel, FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Тілектер тізімі