Транзисторлар - биполярлық (BJT) - массивтер

Үй
Транзисторлар - биполярлық (BJT) - массивтер

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FE-Y,LF

Қоршаған бөлік: 155661

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FE-GR,LF

Қоршаған бөлік: 100168

Транзистор түрі: NPN, PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE-Y,LF

Қоршаған бөлік: 117289

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

HN2A01FU-Y(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FU-Y(TE85L,F

Қоршаған бөлік: 155823

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

HN4C51J(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4C51J(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 171

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual) Common Base, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

HN2C01FU-Y(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FU-Y(TE85L,F

Қоршаған бөлік: 167274

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

HN4C06J-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4C06J-BL(TE85L,F

Қоршаған бөлік: 141983

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

HN2C01FU-GR(T5L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FU-GR(T5L,F)

Қоршаған бөлік: 156520

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

Қоршаған бөлік: 4654

Транзистор түрі: NPN, PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FE-Y,LF

Қоршаған бөлік: 124479

Транзистор түрі: NPN, PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

HN2A01FU-GR(TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FU-GR(TE85LF

Қоршаған бөлік: 4497

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

HN2C01FEYTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FEYTE85LF

Қоршаған бөлік: 4567

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

HN1C01F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01F-GR(TE85L,F

Қоршаған бөлік: 178604

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

TPC6901(TE85L,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6901(TE85L,F,M)

Қоршаған бөлік: 149134

Транзистор түрі: NPN, PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, 700mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 6mA, 300mA / 230mV @ 10mA, 300mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FU-GR,LF

Қоршаған бөлік: 133632

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

HN2A01FE-Y(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FE-Y(TE85L,F

Қоршаған бөлік: 4470

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

HN3C51F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C51F-GR(TE85L,F

Қоршаған бөлік: 4484

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

TPCP8701(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8701(TE85L,F,M

Қоршаған бөлік: 131

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 3A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 80V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2004APG,C,N

Қоршаған бөлік: 4503

Транзистор түрі: 7 NPN Darlington, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 50µA, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FE-GR,LF

Қоршаған бөлік: 154422

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

HN2A01FE-GR(TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FE-GR(TE85LF

Қоршаған бөлік: 4508

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

HN4A56JU(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A56JU(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 175513

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

58

«
1
2
»