Транзисторлар - биполярлық (BJT) - массивтер

Үй
Транзисторлар - биполярлық (BJT) - массивтер

2SC4207-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-Y(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 152609

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

2SC4944-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4944-Y(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 98

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

2SA1618-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-Y(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 124

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

2SA1873-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-Y(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 114931

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

2SA1873-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-GR(TE85L,F

Қоршаған бөлік: 137653

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

2SC4207-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-BL(TE85L,F

Қоршаған бөлік: 153875

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

2SC4207-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-GR(TE85L,F

Қоршаған бөлік: 9987

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

2SA1618-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-GR(TE85L,F

Қоршаған бөлік: 115889

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

HN1B01FU-Y(L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-Y(L,F,T)

Қоршаған бөлік: 4365

Транзистор түрі: NPN, PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE-GR,LF

Қоршаған бөлік: 167758

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

HN1C03FU-A(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03FU-A(TE85L,F

Қоршаған бөлік: 115887

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 300mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A51JTE85LF

Қоршаған бөлік: 179411

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

HN1A01F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-GR(TE85L,F

Қоршаған бөлік: 4432

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

ULN2004AFWG,N,E

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2004AFWG,N,E

Қоршаған бөлік: 124168

Транзистор түрі: 7 NPN Darlington, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 50µA, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Тілектер тізімі

HN1A01F-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-Y(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 104094

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

HN4B04J(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B04J(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 147055

Транзистор түрі: NPN, PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FU-Y,LF

Қоршаған бөлік: 104803

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

TPCP8901(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8901(TE85L,F,M

Қоршаған бөлік: 104

Транзистор түрі: NPN, PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, 800mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 6mA, 300mA / 200mV @ 10mA, 300mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-GR,LF

Қоршаған бөлік: 184759

Транзистор түрі: NPN, PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

HN1B01F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01F-GR(TE85L,F

Қоршаған бөлік: 4437

Транзистор түрі: NPN, PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

HN4A06J(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A06J(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 4500

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

HN2C01FE-GR(T5L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FE-GR(T5L,F)

Қоршаған бөлік: 4488

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-GR,LF

Қоршаған бөлік: 184335

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

HN3A51F(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN3A51F(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 4476

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003APG,CN

Қоршаған бөлік: 4401

Транзистор түрі: 7 NPN Darlington, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 50µA, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Тілектер тізімі

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Қоршаған бөлік: 6508

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-GR,LF

Қоршаған бөлік: 151500

Транзистор түрі: NPN, PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

ULN2803AFWG,C,EL

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803AFWG,C,EL

Қоршаған бөлік: 4471

Транзистор түрі: 8 NPN Darlington, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Тілектер тізімі

HN1C03F-B(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03F-B(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 9945

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 300mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FYTE85LF

Қоршаған бөлік: 111105

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

HN1B04F(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04F(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 4492

Транзистор түрі: NPN, PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Тілектер тізімі

ULN2003AFWG,O,N,E

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003AFWG,O,N,E

Қоршаған бөлік: 4430

Транзистор түрі: 7 NPN Darlington, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 50µA, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Тілектер тізімі

HN4B01JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B01JE(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 76

Транзистор түрі: NPN, PNP (Emitter Coupled), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10MA, 100MA,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803APG,CN

Қоршаған бөлік: 4464

Транзистор түрі: 8 NPN Darlington, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Тілектер тізімі

HN3C51F-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C51F-BL(TE85L,F

Қоршаған бөлік: 4503

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-Y,LF

Қоршаған бөлік: 9904

Транзистор түрі: NPN, PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

58

«
1
2
»