Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

  • Үй
  •  
  • Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз
NTMFS4701NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4701NT3G

Қоршаған бөлік: 299

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Тілектер тізімі
NTD3813N-35G
ON Semiconductor

NTD3813N-35G

Қоршаған бөлік: 588

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 16V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9.6A (Ta), 51A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75 mOhm @ 15A, 10V,

Тілектер тізімі
NTD4855N-35G
ON Semiconductor

NTD4855N-35G

Қоршаған бөлік: 499

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 98A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 30A, 10V,

Тілектер тізімі
NTD95N02R-001
ON Semiconductor

NTD95N02R-001

Қоршаған бөлік: 6095

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 24V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 32A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Тілектер тізімі
FQA6N90_F109
ON Semiconductor

FQA6N90_F109

Қоршаған бөлік: 385

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 900V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6.4A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 3A, 10V,

Тілектер тізімі
NTD60N02R-35G
ON Semiconductor

NTD60N02R-35G

Қоршаған бөлік: 5688

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8.5A (Ta), 32A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 20A, 10V,

Тілектер тізімі
NTD60N02R-1G
ON Semiconductor

NTD60N02R-1G

Қоршаған бөлік: 353

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8.5A (Ta), 32A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 20A, 10V,

Тілектер тізімі
NTGS3447PT1G
ON Semiconductor

NTGS3447PT1G

Қоршаған бөлік: 444

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 12V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

Тілектер тізімі
NTD4806NA-1G
ON Semiconductor

NTD4806NA-1G

Қоршаған бөлік: 469

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 11.3A (Ta), 79A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

Тілектер тізімі
NTD50N03RT4
ON Semiconductor

NTD50N03RT4

Қоршаған бөлік: 298

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7.8A (Ta), 45A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 30A, 11.5V,

Тілектер тізімі
NTD3055L170
ON Semiconductor

NTD3055L170

Қоршаған бөлік: 270

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 4.5A, 5V,

Тілектер тізімі
NTD65N03R
ON Semiconductor

NTD65N03R

Қоршаған бөлік: 355

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Ta), 32A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 30A, 10V,

Тілектер тізімі
NTLJF3118NTAG
ON Semiconductor

NTLJF3118NTAG

Қоршаған бөлік: 497

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V,

Тілектер тізімі
NTD4857N-1G
ON Semiconductor

NTD4857N-1G

Қоршаған бөлік: 6090

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 78A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 30A, 10V,

Тілектер тізімі
NTD65N03R-035
ON Semiconductor

NTD65N03R-035

Қоршаған бөлік: 300

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Ta), 32A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 30A, 10V,

Тілектер тізімі
NTLJS4159NT1G
ON Semiconductor

NTLJS4159NT1G

Қоршаған бөлік: 331

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 2A, 4.5V,

Тілектер тізімі
FDD8444L
ON Semiconductor

FDD8444L

Қоршаған бөлік: 423

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), 50A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 50A, 10V,

Тілектер тізімі
NTMS4872NR2G
ON Semiconductor

NTMS4872NR2G

Қоршаған бөлік: 525

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), 10.2A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10.2A, 10V,

Тілектер тізімі
NTMFS4122NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4122NT3G

Қоршаған бөлік: 387

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9.1A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 14A, 10V,

Тілектер тізімі
FDB8832
ON Semiconductor

FDB8832

Қоршаған бөлік: 39081

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 34A (Ta), 80A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 80A, 10V,

Тілектер тізімі
FDM6296
ON Semiconductor

FDM6296

Қоршаған бөлік: 371

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 11.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 11.5A, 10V,

Тілектер тізімі
FDC636P
ON Semiconductor

FDC636P

Қоршаған бөлік: 589

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

Тілектер тізімі
NTD4863N-1G
ON Semiconductor

NTD4863N-1G

Қоршаған бөлік: 444

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Ta), 49A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 30A, 10V,

Тілектер тізімі
FDI8441
ON Semiconductor

FDI8441

Қоршаған бөлік: 458

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 26A (Ta), 80A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 80A, 10V,

Тілектер тізімі
NTMFS4835NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4835NT3G

Қоршаған бөлік: 474

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 130A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 30A, 10V,

Тілектер тізімі
NTD78N03-035
ON Semiconductor

NTD78N03-035

Қоршаған бөлік: 313

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 11.4A (Ta), 78A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 78A, 10V,

Тілектер тізімі
FDR858P
ON Semiconductor

FDR858P

Қоршаған бөлік: 332

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V,

Тілектер тізімі
NTD85N02RG
ON Semiconductor

NTD85N02RG

Қоршаған бөлік: 385

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 24V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 85A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V,

Тілектер тізімі
NTD4806NA-35G
ON Semiconductor

NTD4806NA-35G

Қоршаған бөлік: 501

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 11.3A (Ta), 79A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

Тілектер тізімі
NTR4503NT1
ON Semiconductor

NTR4503NT1

Қоршаған бөлік: 330

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 10V,

Тілектер тізімі
NTD4804N-35G
ON Semiconductor

NTD4804N-35G

Қоршаған бөлік: 470

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 14.5A (Ta), 124A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

Тілектер тізімі
FQU13N10LTU
ON Semiconductor

FQU13N10LTU

Қоршаған бөлік: 106178

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі
NTD95N02R-1G
ON Semiconductor

NTD95N02R-1G

Қоршаған бөлік: 6084

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 24V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 32A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Тілектер тізімі
NVTFS5124PLTAG
ON Semiconductor

NVTFS5124PLTAG

Қоршаған бөлік: 118550

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.4A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 3A, 10V,

Тілектер тізімі
NTD3813NT4G
ON Semiconductor

NTD3813NT4G

Қоршаған бөлік: 549

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 16V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9.6A (Ta), 51A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75 mOhm @ 15A, 10V,

Тілектер тізімі
NTF2955PT1G
ON Semiconductor

NTF2955PT1G

Қоршаған бөлік: 500

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1.7A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 2.4A, 10V,

Тілектер тізімі