Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

  • Үй
  •  
  • Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз
FDD6780
ON Semiconductor

FDD6780

Қоршаған бөлік: 569

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 16.5A (Ta), 30A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 16.5A, 10V,

Тілектер тізімі
NTR1P02T3
ON Semiconductor

NTR1P02T3

Қоршаған бөлік: 328

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V,

Тілектер тізімі
NTD32N06-1G
ON Semiconductor

NTD32N06-1G

Қоршаған бөлік: 357

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 16A, 10V,

Тілектер тізімі
NTD6600N
ON Semiconductor

NTD6600N

Қоршаған бөлік: 317

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146 mOhm @ 6A, 5V,

Тілектер тізімі
NTJS3151PT2
ON Semiconductor

NTJS3151PT2

Қоршаған бөлік: 364

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 12V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

Тілектер тізімі
NTHD5904NT1
ON Semiconductor

NTHD5904NT1

Қоршаған бөлік: 354

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

Тілектер тізімі
FDB8453LZ
ON Semiconductor

FDB8453LZ

Қоршаған бөлік: 432

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 16.1A (Ta), 50A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 17.6A, 10V,

Тілектер тізімі
NTMFS4839NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4839NT3G

Қоршаған бөлік: 6095

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Ta), 64A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 30A, 10V,

Тілектер тізімі
NTLJS2103PTAG
ON Semiconductor

NTLJS2103PTAG

Қоршаған бөлік: 522

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 12V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3A, 4.5V,

Тілектер тізімі
FQB5N90TM
ON Semiconductor

FQB5N90TM

Қоршаған бөлік: 60182

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 900V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 Ohm @ 2.7A, 10V,

Тілектер тізімі
NTMFS4708NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4708NT3G

Қоршаған бөлік: 312

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7.8A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 11.5A, 10V,

Тілектер тізімі
NTD3817NT4G
ON Semiconductor

NTD3817NT4G

Қоршаған бөлік: 563

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 16V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7.6A (Ta), 34.5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9 mOhm @ 15A, 10V,

Тілектер тізімі
NTHS4501NT1
ON Semiconductor

NTHS4501NT1

Қоршаған бөлік: 390

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.9A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 4.9A, 10V,

Тілектер тізімі
FDPF7N50U
ON Semiconductor

FDPF7N50U

Қоршаған бөлік: 418

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V,

Тілектер тізімі
NTS4101PT1
ON Semiconductor

NTS4101PT1

Қоршаған бөлік: 382

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1.37A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4.5V,

Тілектер тізімі
NTP2955
ON Semiconductor

NTP2955

Қоршаған бөлік: 317

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.4A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196 mOhm @ 12A, 10V,

Тілектер тізімі
FDD6N50FTF
ON Semiconductor

FDD6N50FTF

Қоршаған бөлік: 421

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15 Ohm @ 2.75A, 10V,

Тілектер тізімі
NTJS4405NT4G
ON Semiconductor

NTJS4405NT4G

Қоршаған бөлік: 337

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 600mA, 4.5V,

Тілектер тізімі
NTP35N15G
ON Semiconductor

NTP35N15G

Қоршаған бөлік: 6031

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 150V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 37A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 18.5A, 10V,

Тілектер тізімі
NTD4860NAT4G
ON Semiconductor

NTD4860NAT4G

Қоршаған бөлік: 547

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 10.4A (Ta), 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 30A, 10V,

Тілектер тізімі
NTD4857NT4G
ON Semiconductor

NTD4857NT4G

Қоршаған бөлік: 538

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 78A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 30A, 10V,

Тілектер тізімі
NTY100N10
ON Semiconductor

NTY100N10

Қоршаған бөлік: 321

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 123A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 50A, 10V,

Тілектер тізімі
NTD50N03R-035
ON Semiconductor

NTD50N03R-035

Қоршаған бөлік: 306

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7.8A (Ta), 45A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 30A, 11.5V,

Тілектер тізімі
NTMS4706NR2
ON Semiconductor

NTMS4706NR2

Қоршаған бөлік: 323

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6.4A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10.3A, 10V,

Тілектер тізімі
NTD60N02RG
ON Semiconductor

NTD60N02RG

Қоршаған бөлік: 320

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8.5A (Ta), 32A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 20A, 10V,

Тілектер тізімі
NTD4858N-1G
ON Semiconductor

NTD4858N-1G

Қоршаған бөлік: 474

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 11.2A (Ta), 73A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 30A, 10V,

Тілектер тізімі
NTD4863N-35G
ON Semiconductor

NTD4863N-35G

Қоршаған бөлік: 486

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Ta), 49A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 30A, 10V,

Тілектер тізімі
NTD4809NA-1G
ON Semiconductor

NTD4809NA-1G

Қоршаған бөлік: 454

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9.6A (Ta), 58A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Тілектер тізімі
NTD3055L170G
ON Semiconductor

NTD3055L170G

Қоршаған бөлік: 308

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 4.5A, 5V,

Тілектер тізімі
NTB5605T4G
ON Semiconductor

NTB5605T4G

Қоршаған бөлік: 524

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 18.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 8.5A, 5V,

Тілектер тізімі
FDZ4670
ON Semiconductor

FDZ4670

Қоршаған бөлік: 387

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі
NTD4302
ON Semiconductor

NTD4302

Қоршаған бөлік: 276

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8.4A (Ta), 68A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 20A, 10V,

Тілектер тізімі
NTD4813NH-35G
ON Semiconductor

NTD4813NH-35G

Қоршаған бөлік: 444

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7.6A (Ta), 40A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 30A, 10V,

Тілектер тізімі
NTD3817N-35G
ON Semiconductor

NTD3817N-35G

Қоршаған бөлік: 519

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 16V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7.6A (Ta), 34.5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9 mOhm @ 15A, 10V,

Тілектер тізімі
NTLGF3501NT1G
ON Semiconductor

NTLGF3501NT1G

Қоршаған бөлік: 338

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.4A, 4.5V,

Тілектер тізімі
NTHD3133PFT1G
ON Semiconductor

NTHD3133PFT1G

Қоршаған бөлік: 538

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Tj), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

Тілектер тізімі