Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

  • Үй
  •  
  • Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз
BFL4037
ON Semiconductor

BFL4037

Қоршаған бөлік: 1124

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

Тілектер тізімі
BMS4007
ON Semiconductor

BMS4007

Қоршаған бөлік: 1121

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 75V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 60A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 30A, 10V,

Тілектер тізімі
BFL4026
ON Semiconductor

BFL4026

Қоршаған бөлік: 6121

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 900V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 2.5A, 10V,

Тілектер тізімі
BFL4001
ON Semiconductor

BFL4001

Қоршаған бөлік: 1193

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 900V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.1A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 3.25A, 10V,

Тілектер тізімі
BBS3002-DL-E
ON Semiconductor

BBS3002-DL-E

Қоршаған бөлік: 6191

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 50A, 10V,

Тілектер тізімі
BS170ZL1G
ON Semiconductor

BS170ZL1G

Қоршаған бөлік: 864

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Тілектер тізімі
BS170RLRMG
ON Semiconductor

BS170RLRMG

Қоршаған бөлік: 846

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Тілектер тізімі
BS170_J35Z
ON Semiconductor

BS170_J35Z

Қоршаған бөлік: 719

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Тілектер тізімі
BSS138LT3
ON Semiconductor

BSS138LT3

Қоршаған бөлік: 281

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 50V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 5V,

Тілектер тізімі
BSS123LT3
ON Semiconductor

BSS123LT3

Қоршаған бөлік: 305

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

Тілектер тізімі
BSS123LT3G
ON Semiconductor

BSS123LT3G

Қоршаған бөлік: 251

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

Тілектер тізімі
BS170RLRPG
ON Semiconductor

BS170RLRPG

Қоршаған бөлік: 339

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Тілектер тізімі
BS170RLRP
ON Semiconductor

BS170RLRP

Қоршаған бөлік: 277

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Тілектер тізімі
BS170G
ON Semiconductor

BS170G

Қоршаған бөлік: 6047

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Тілектер тізімі
BS108G
ON Semiconductor

BS108G

Қоршаған бөлік: 5654

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 2.8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 100mA, 2.8V,

Тілектер тізімі
BS107G
ON Semiconductor

BS107G

Қоршаған бөлік: 6088

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

Тілектер тізімі
BS107ARL1G
ON Semiconductor

BS107ARL1G

Қоршаған бөлік: 245

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 Ohm @ 250mA, 10V,

Тілектер тізімі
BS107ARL1
ON Semiconductor

BS107ARL1

Қоршаған бөлік: 306

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 Ohm @ 250mA, 10V,

Тілектер тізімі
BSS138-F085
ON Semiconductor

BSS138-F085

Қоршаған бөлік: 18197

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 50V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 220mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Тілектер тізімі
BSS123_D87Z
ON Semiconductor

BSS123_D87Z

Қоршаған бөлік: 9827

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Тілектер тізімі
BSS84_D87Z
ON Semiconductor

BSS84_D87Z

Қоршаған бөлік: 9795

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 50V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 130mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі
BSS138_L99Z
ON Semiconductor

BSS138_L99Z

Қоршаған бөлік: 5980

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 50V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 220mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Тілектер тізімі
BS170_L34Z
ON Semiconductor

BS170_L34Z

Қоршаған бөлік: 9830

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Тілектер тізімі
BUZ11_R4941
ON Semiconductor

BUZ11_R4941

Қоршаған бөлік: 9736

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 50V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 15A, 10V,

Тілектер тізімі
BS170RLRAG
ON Semiconductor

BS170RLRAG

Қоршаған бөлік: 9801

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Тілектер тізімі
BS108ZL1G
ON Semiconductor

BS108ZL1G

Қоршаған бөлік: 9489

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 2.8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 100mA, 2.8V,

Тілектер тізімі
BSS84LT1
ON Semiconductor

BSS84LT1

Қоршаған бөлік: 9355

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 50V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 130mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі
BSS123LT1
ON Semiconductor

BSS123LT1

Қоршаған бөлік: 9436

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

Тілектер тізімі
BSS138LT1
ON Semiconductor

BSS138LT1

Қоршаған бөлік: 9391

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 50V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 5V,

Тілектер тізімі
BS170RLRA
ON Semiconductor

BS170RLRA

Қоршаған бөлік: 9442

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Тілектер тізімі
BS170RL1G
ON Semiconductor

BS170RL1G

Қоршаған бөлік: 9363

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Тілектер тізімі
BSS100
ON Semiconductor

BSS100

Қоршаған бөлік: 8883

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 220mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 220mA, 10V,

Тілектер тізімі
BSS110
ON Semiconductor

BSS110

Қоршаған бөлік: 8859

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 50V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 170mA, 10V,

Тілектер тізімі
BS170
ON Semiconductor

BS170

Қоршаған бөлік: 25864

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Тілектер тізімі
BS270
ON Semiconductor

BS270

Қоршаған бөлік: 135637

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 400mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі
BS170-D75Z
ON Semiconductor

BS170-D75Z

Қоршаған бөлік: 25829

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Тілектер тізімі