Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Obsolete |
---|---|
FET түрі | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 200V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 250mA (Ta) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 2V, 2.8V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 100mA, 2.8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V |
FET ерекшелігі | - |
Қуатты бөлу (максимум) | 350mW (Ta) |
Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Through Hole |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | TO-92-3 |
Пакет / Корпус | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |