Транзисторлар - биполярлы (BJT) - жалғыз | Дискретті жартылай өткізгіш өнімдер | 100

2SC2229-Y(T6ONK1FM

Қоршаған бөлік: 6992

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 150V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP1,F,M

Қоршаған бөлік: 6990

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 150V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SAN2,F,M

Қоршаған бөлік: 7022

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 150V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP,F,M)

Қоршаған бөлік: 7021

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 150V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT,F,M)

Қоршаған бөлік: 6703

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 150V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT1,F,M

Қоршаған бөлік: 6975

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 150V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SHP1FM

Қоршаған бөлік: 7020

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 150V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(TE6,F,M)

Қоршаған бөлік: 7022

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 150V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SAN2FM

Қоршаған бөлік: 6954

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 150V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6MIT1FM

Қоршаған бөлік: 6948

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 150V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP1,F,M

Қоршаған бөлік: 6990

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 150V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP,F,M)

Қоршаған бөлік: 6947

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 150V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MITIF,M)

Қоршаған бөлік: 7035

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 150V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MIT1F,M)

Қоршаған бөлік: 7005

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 150V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229(TE6SAN1F,M

Қоршаған бөлік: 6999

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 150V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-O,PASF(M

Қоршаған бөлік: 7004

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 400mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 80V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-Y,PASF(M

Қоршаған бөлік: 6754

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 400mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 80V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(M

Қоршаған бөлік: 6942

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 3A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 100V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 10µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(J

Қоршаған бөлік: 6995

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 3A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 100V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 10µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6YMEF(M

Қоршаған бөлік: 7000

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 100V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 10µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1481(TOJS,Q,M)

Қоршаған бөлік: 6996

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 4A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 100V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 2µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6TOTOF(J

Қоршаған бөлік: 6949

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 100V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 10µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(TE6,F,M)

Қоршаған бөлік: 6958

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 100V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 10µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CNO,A,F)

Қоршаған бөлік: 6947

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 100V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 10µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1375,CLARIONF(M

Қоршаған бөлік: 6980

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 3A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 60V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 2A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 10µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CANO,F,M

Қоршаған бөлік: 7012

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 100V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 10µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6KOJPF(J

Қоршаған бөлік: 6968

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 800mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6F(J

Қоршаған бөлік: 7012

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 800mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,SWFF(M

Қоршаған бөлік: 6956

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 800mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,F(J

Қоршаған бөлік: 6980

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 800mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(T6CANO,FM

Қоршаған бөлік: 6968

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 800mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(F,M)

Қоршаған бөлік: 7009

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 800mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O,F(J

Қоршаған бөлік: 6956

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 800mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,ONK-1F(M

Қоршаған бөлік: 6969

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 150V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O(TE6,F,M)

Қоршаған бөлік: 7016

Транзистор түрі: PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 800mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

ON Semiconductor

2SC6017-E

Қоршаған бөлік: 111005

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 10A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 10µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

Тілектер тізімі