Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Транзисторлар - бағдарламаланатын біртұтас функция

2N6027
Central Semiconductor Corp

2N6027

Қоршаған бөлік: 76016

Вольтаж: 40V, Қуатты бөлу (максимум): 300mW, Кернеу - шығыс: 6V, Кернеу - ығысу (Vt): 1.6V, Ағымдағы - Анодтың ағып кетуіне жол (Igao): 10nA, Ағымдағы - алқап (Iv): 50µA,

Тілектер тізімі
2N6028
Central Semiconductor Corp

2N6028

Қоршаған бөлік: 75982

Вольтаж: 40V, Қуатты бөлу (максимум): 300mW, Кернеу - шығыс: 6V, Кернеу - ығысу (Vt): 600mV, Ағымдағы - Анодтың ағып кетуіне жол (Igao): 10nA, Ағымдағы - алқап (Iv): 25µA,

Тілектер тізімі
CMPP6028 TR
Central Semiconductor Corp

CMPP6028 TR

Қоршаған бөлік: 54052

Вольтаж: 40V, Қуатты бөлу (максимум): 167mW, Кернеу - шығыс: 6V, Кернеу - ығысу (Vt): 600mV, Ағымдағы - Анодтың ағып кетуіне жол (Igao): 10nA, Ағымдағы - алқап (Iv): 25µA,

Тілектер тізімі
2N6028RLRMG
ON Semiconductor

2N6028RLRMG

Қоршаған бөлік: 2509

Вольтаж: 40V, Қуатты бөлу (максимум): 300mW, Кернеу - шығыс: 11V, Кернеу - ығысу (Vt): 600mV, Ағымдағы - Анодтың ағып кетуіне жол (Igao): 10nA, Ағымдағы - алқап (Iv): 25µA,

Тілектер тізімі
2N6028RLRPG
ON Semiconductor

2N6028RLRPG

Қоршаған бөлік: 2537

Вольтаж: 40V, Қуатты бөлу (максимум): 300mW, Кернеу - шығыс: 11V, Кернеу - ығысу (Vt): 600mV, Ағымдағы - Анодтың ағып кетуіне жол (Igao): 10nA, Ағымдағы - алқап (Iv): 25µA,

Тілектер тізімі
2N6027RL1G
ON Semiconductor

2N6027RL1G

Қоршаған бөлік: 2538

Вольтаж: 40V, Қуатты бөлу (максимум): 300mW, Кернеу - шығыс: 11V, Кернеу - ығысу (Vt): 1.6V, Ағымдағы - Анодтың ағып кетуіне жол (Igao): 10nA, Ағымдағы - алқап (Iv): 50µA,

Тілектер тізімі
2N6028RLRP
ON Semiconductor

2N6028RLRP

Қоршаған бөлік: 2531

Вольтаж: 40V, Қуатты бөлу (максимум): 300mW, Кернеу - шығыс: 11V, Кернеу - ығысу (Vt): 600mV, Ағымдағы - Анодтың ағып кетуіне жол (Igao): 10nA, Ағымдағы - алқап (Iv): 25µA,

Тілектер тізімі
2N6027RL1
ON Semiconductor

2N6027RL1

Қоршаған бөлік: 2482

Вольтаж: 40V, Қуатты бөлу (максимум): 300mW, Кернеу - шығыс: 11V, Кернеу - ығысу (Vt): 1.6V, Ағымдағы - Анодтың ағып кетуіне жол (Igao): 10nA, Ағымдағы - алқап (Iv): 50µA,

Тілектер тізімі
2N6028G
ON Semiconductor

2N6028G

Қоршаған бөлік: 2534

Вольтаж: 40V, Қуатты бөлу (максимум): 300mW, Кернеу - шығыс: 11V, Кернеу - ығысу (Vt): 600mV, Ағымдағы - Анодтың ағып кетуіне жол (Igao): 10nA, Ағымдағы - алқап (Iv): 25µA,

Тілектер тізімі
2N6027G
ON Semiconductor

2N6027G

Қоршаған бөлік: 2493

Вольтаж: 40V, Қуатты бөлу (максимум): 300mW, Кернеу - шығыс: 11V, Кернеу - ығысу (Vt): 1.6V, Ағымдағы - Анодтың ағып кетуіне жол (Igao): 10nA, Ағымдағы - алқап (Iv): 50µA,

Тілектер тізімі
2N6028RLRAG
ON Semiconductor

2N6028RLRAG

Қоршаған бөлік: 2505

Вольтаж: 40V, Қуатты бөлу (максимум): 300mW, Кернеу - шығыс: 11V, Кернеу - ығысу (Vt): 600mV, Ағымдағы - Анодтың ағып кетуіне жол (Igao): 10nA, Ағымдағы - алқап (Iv): 25µA,

Тілектер тізімі
2N6027RLRAG
ON Semiconductor

2N6027RLRAG

Қоршаған бөлік: 2518

Вольтаж: 40V, Қуатты бөлу (максимум): 300mW, Кернеу - шығыс: 11V, Кернеу - ығысу (Vt): 1.6V, Ағымдағы - Анодтың ағып кетуіне жол (Igao): 10nA, Ағымдағы - алқап (Iv): 50µA,

Тілектер тізімі
2N6028RLRA
ON Semiconductor

2N6028RLRA

Қоршаған бөлік: 2522

Вольтаж: 40V, Қуатты бөлу (максимум): 300mW, Кернеу - шығыс: 11V, Кернеу - ығысу (Vt): 600mV, Ағымдағы - Анодтың ағып кетуіне жол (Igao): 10nA, Ағымдағы - алқап (Iv): 25µA,

Тілектер тізімі
2N6027RLRA
ON Semiconductor

2N6027RLRA

Қоршаған бөлік: 2457

Вольтаж: 40V, Қуатты бөлу (максимум): 300mW, Кернеу - шығыс: 11V, Кернеу - ығысу (Vt): 1.6V, Ағымдағы - Анодтың ағып кетуіне жол (Igao): 10nA, Ағымдағы - алқап (Iv): 50µA,

Тілектер тізімі