Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Транзисторлар - биполярлық (BJT) - массивтер, алды

ADC124EUQ-7
Diodes Incorporated

ADC124EUQ-7

Қоршаған бөлік: 102169

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

Тілектер тізімі
ACX114YUQ-13R
Diodes Incorporated

ACX114YUQ-13R

Қоршаған бөлік: 122236

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, 47 kOhms,

Тілектер тізімі
ADC124EUQ-13
Diodes Incorporated

ADC124EUQ-13

Қоршаған бөлік: 174294

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

Тілектер тізімі
ADA114EUQ-7
Diodes Incorporated

ADA114EUQ-7

Қоршаған бөлік: 198421

Транзистор түрі: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, 10 kOhms,

Тілектер тізімі
ACX124EUQ-7R
Diodes Incorporated

ACX124EUQ-7R

Қоршаған бөлік: 171910

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

Тілектер тізімі
ADA114YUQ-7
Diodes Incorporated

ADA114YUQ-7

Қоршаған бөлік: 112948

Транзистор түрі: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

Тілектер тізімі
ADC114YUQ-7
Diodes Incorporated

ADC114YUQ-7

Қоршаған бөлік: 176159

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

Тілектер тізімі
ACX114YUQ-7R
Diodes Incorporated

ACX114YUQ-7R

Қоршаған бөлік: 162673

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, 47 kOhms,

Тілектер тізімі
ADA114EUQ-13
Diodes Incorporated

ADA114EUQ-13

Қоршаған бөлік: 149878

Транзистор түрі: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, 10 kOhms,

Тілектер тізімі
ADA114YUQ-13
Diodes Incorporated

ADA114YUQ-13

Қоршаған бөлік: 147362

Транзистор түрі: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

Тілектер тізімі
ADC144EUQ-13
Diodes Incorporated

ADC144EUQ-13

Қоршаған бөлік: 21546

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
ACX124EUQ-13R
Diodes Incorporated

ACX124EUQ-13R

Қоршаған бөлік: 121902

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

Тілектер тізімі
ADC114YUQ-13
Diodes Incorporated

ADC114YUQ-13

Қоршаған бөлік: 121085

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

Тілектер тізімі
BCR35PNH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR35PNH6327XTSA1

Қоршаған бөлік: 152076

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR 48PN H6727
Infineon Technologies

BCR 48PN H6727

Қоршаған бөлік: 1466

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 70mA, 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR 141S H6727
Infineon Technologies

BCR 141S H6727

Қоршаған бөлік: 1531

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR35PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR35PNE6327BTSA1

Қоршаған бөлік: 1529

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR 22PN H6727
Infineon Technologies

BCR 22PN H6727

Қоршаған бөлік: 1468

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR 148S H6827
Infineon Technologies

BCR 148S H6827

Қоршаған бөлік: 1537

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR 133S H6444
Infineon Technologies

BCR 133S H6444

Қоршаған бөлік: 1441

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR 141S E6727
Infineon Technologies

BCR 141S E6727

Қоршаған бөлік: 1506

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR 116S H6727
Infineon Technologies

BCR 116S H6727

Қоршаған бөлік: 3210

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR 116S E6727
Infineon Technologies

BCR 116S E6727

Қоршаған бөлік: 1473

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR108SH6433XTMA1
Infineon Technologies

BCR108SH6433XTMA1

Қоршаған бөлік: 1470

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR08PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR08PNE6327BTSA1

Қоршаған бөлік: 1495

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR48PNE6433BTMA1
Infineon Technologies

BCR48PNE6433BTMA1

Қоршаған бөлік: 1457

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 70mA, 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR48PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR48PNE6327BTSA1

Қоршаған бөлік: 3149

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 70mA, 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR35PNE6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR35PNE6433HTMA1

Қоршаған бөлік: 1427

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR22PNE6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR22PNE6433HTMA1

Қоршаған бөлік: 1454

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR198SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR198SE6327BTSA1

Қоршаған бөлік: 1473

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR22PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR22PNE6327BTSA1

Қоршаған бөлік: 1505

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR185SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR185SE6327BTSA1

Қоршаған бөлік: 1465

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR183SE6433BTMA1
Infineon Technologies

BCR183SE6433BTMA1

Қоршаған бөлік: 1484

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR185SB6327XT
Infineon Technologies

BCR185SB6327XT

Қоршаған бөлік: 1459

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR183SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR183SE6327BTSA1

Қоршаған бөлік: 1440

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR169SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR169SE6327BTSA1

Қоршаған бөлік: 1509

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі