Транзисторлар - биполярлық (BJT) - массивтер, алды | Дискретті жартылай өткізгіш өнімдер | 42

SMUN5213DW1T1G

Қоршаған бөлік: 151695

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

ON Semiconductor

NSBC144WPDP6T5G

Қоршаған бөлік: 156563

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

ON Semiconductor

NSBC144EDP6T5G

Қоршаған бөлік: 168274

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

ON Semiconductor

NSVMUN5113DW1T3G

Қоршаған бөлік: 116755

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 1V,

Тілектер тізімі

ON Semiconductor

MUN5312DW1T2G

Қоршаған бөлік: 134631

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

ON Semiconductor

NSBC114YDP6T5G

Қоршаған бөлік: 103833

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

ON Semiconductor

MUN5214DW1T1G

Қоршаған бөлік: 184027

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

ON Semiconductor

NSVBC144EPDXV6T1G

Қоршаған бөлік: 125769

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

ON Semiconductor

NSBC123JPDXV6T5G

Қоршаған бөлік: 126783

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

Panasonic Electronic Components

DMA564010R

Қоршаған бөлік: 128549

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

Panasonic Electronic Components

DMG963H10R

Қоршаған бөлік: 152297

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

Panasonic Electronic Components

DMA5610F0R

Қоршаған бөлік: 140860

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

Panasonic Electronic Components

DMA961010R

Қоршаған бөлік: 185363

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

Panasonic Electronic Components

DMG963HD0R

Қоршаған бөлік: 129355

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

Panasonic Electronic Components

DMC564060R

Қоршаған бөлік: 112083

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

Panasonic Electronic Components

DMC266060R

Қоршаған бөлік: 134332

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

Panasonic Electronic Components

DMG963HC0R

Қоршаған бөлік: 137430

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, 510 Ohms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, 5.1 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

PBLS2023D,115

Қоршаған бөлік: 198052

Транзистор түрі: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, 1.8A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, 20V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 200 @ 1A, 2V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

PQMH9Z

Қоршаған бөлік: 157995

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

PUMD20,115

Қоршаған бөлік: 174220

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 2.2 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

PUMF11,115

Қоршаған бөлік: 127576

Транзистор түрі: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, 40V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 120 @ 1mA, 6V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

PEMH11,315

Қоршаған бөлік: 178992

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

PEMH20,115

Қоршаған бөлік: 131376

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 2.2 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

PUMB30,115

Қоршаған бөлік: 183241

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

PBLS6024D,115

Қоршаған бөлік: 165658

Транзистор түрі: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, 1.5A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, 65V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 140 @ 1A, 2V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

PUMD15,135

Қоршаған бөлік: 188767

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2901FE(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 169

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1609(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 147

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2507(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 152

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

EMD5T2R

Қоршаған бөлік: 109340

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

EMB11T2R

Қоршаған бөлік: 118490

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

FMG2AT148

Қоршаған бөлік: 107915

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

EMH75T2R

Қоршаған бөлік: 186217

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

UMD22NTR

Қоршаған бөлік: 132867

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

UMA5NTR

Қоршаған бөлік: 183533

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

UMB11NTN

Қоршаған бөлік: 138120

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі