Транзисторлар - биполярлы (BJT) - жалғыз | Дискретті жартылай өткізгіш өнімдер | 100

2SD2257,KEHINQ(J

Қоршаған бөлік: 6789

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 3A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 100V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 10µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(CANO,A,Q)

Қоршаған бөлік: 6792

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 3A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 100V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 10µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(CANO,Q,M)

Қоршаған бөлік: 6778

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 3A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 100V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 10µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206A(T6SEP,F,M

Қоршаған бөлік: 6989

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206,T6F(J

Қоршаған бөлік: 7064

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 100V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 10µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(TE6,F,M)

Қоршаған бөлік: 7008

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 100V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 10µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(T6CNO,A,F)

Қоршаған бөлік: 7045

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 100V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 10µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(T6CANO,F,M

Қоршаған бөлік: 7037

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 100V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 10µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,ALPSQ(M

Қоршаған бөлік: 7039

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 3A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 100V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,LS4ALPSQ(M

Қоршаған бөлік: 7003

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 3A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 100V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6042,T2WNLQ(J

Қоршаған бөлік: 7001

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 375V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6139,T2F(M

Қоршаған бөлік: 6717

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1.5A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 160V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6040,T2Q(J

Қоршаған бөлік: 7021

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 800V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6042,T2HOSH1Q(J

Қоршаған бөлік: 7019

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 375V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6010(T2MITUM,FM

Қоршаған бөлік: 6714

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 600V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6040(TPF2,Q,M)

Қоршаған бөлік: 7015

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 800V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(TPF2,F,M)

Қоршаған бөлік: 6994

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 600V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(T2MITUM,FM

Қоршаған бөлік: 6971

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 600V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6F(J

Қоршаған бөлік: 6716

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 600V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6MURAF(J

Қоршаған бөлік: 7019

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 600V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,F(J

Қоршаған бөлік: 6724

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 600V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(TE6,F,M)

Қоршаған бөлік: 6968

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 600V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5172(YAZK,Q,M)

Қоршаған бөлік: 7006

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 5A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 400V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 2A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 20µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(T6MURATAFM

Қоршаған бөлік: 7026

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 600V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,Q(J

Қоршаған бөлік: 6967

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 180V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 5µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,ONKQ(J

Қоршаған бөлік: 6979

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 180V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 5µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171(ONK,Q,M)

Қоршаған бөлік: 6992

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 180V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 5µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,MATUDQ(J

Қоршаған бөлік: 7059

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 180V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 5µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171(LBS2MATQ,M

Қоршаған бөлік: 6988

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 180V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 5µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4935-Y,Q(J

Қоршаған бөлік: 7005

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 3A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4881,LS1SUMIF(M

Қоршаған бөлік: 6962

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 5A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,YHF(M

Қоршаған бөлік: 7032

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 230V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4881(CANO,F,M)

Қоршаған бөлік: 7001

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 5A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,NSEIKIF(J

Қоршаған бөлік: 7000

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 230V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,TOA1F(J

Қоршаған бөлік: 7001

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 230V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,HFEF(M

Қоршаған бөлік: 6995

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 230V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі