Транзисторлар - биполярлы (BJT) - жалғыз | Дискретті жартылай өткізгіш өнімдер | 100

2SC2655-Y(T6CANOFM

Қоршаған бөлік: 6951

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(6MBH1,AF

Қоршаған бөлік: 6790

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(HIT,F,M)

Қоршаған бөлік: 7001

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-O(TE6,F,M)

Қоршаған бөлік: 7046

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-O,F(J

Қоршаған бөлік: 7041

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-O(ND2,AF)

Қоршаған бөлік: 6981

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2482(T6TOJS,F,M

Қоршаған бөлік: 6736

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 300V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2482(FJTN,F,M)

Қоршаған бөлік: 6967

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 300V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-Y,T6KEHF(M

Қоршаған бөлік: 6957

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 160V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-O,T6ALPF(M

Қоршаған бөлік: 6977

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 160V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-O(T6OMI,FM

Қоршаған бөлік: 7010

Транзистор түрі: NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 160V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

Тілектер тізімі