Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: PWM, Зондты сезу: ±15mT ~ ±400mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 15mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: 6mT ~ 650mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: Unlimited, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 4.5mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: PWM, Зондты сезу: ±30mT ~ ±170mT, Кернеу - жабдықтау: 4.6V ~ 8.7V, Ағым - жабдықтау (максимум): 6.5mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: 156mT ~ 333mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 9mA,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: PWM,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±200mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 5.5mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 2.7V ~ 6.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±50mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 8V, Ағым - жабдықтау (максимум): 17.5mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: Unlimited, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 24V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8.7mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±6mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 10.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8.7mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±67mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 12V, Ағым - жабдықтау (максимум): 11mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±20mT ~ ±160mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Шығу түрі: PWM, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 15mA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Шығу түрі: PWM, Зондты сезу: ±1mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 17.5mA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Шығу түрі: PWM, Зондты сезу: ±1mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C, Зондты сезу: ±1mT, Кернеу - жабдықтау: 1.9V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 900µA (Typ),
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 5V ~ 12V,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±18mT, Кернеу - жабдықтау: 2.5V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±35mT, Кернеу - жабдықтау: 2.5V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 2V, Ағым - жабдықтау (максимум): 20mA,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 12V,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Шығу түрі: Wheatstone Bridge, Зондты сезу: ±0.6mT, Кернеу - жабдықтау: 2.4V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 25mA,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: Wheatstone Bridge, Зондты сезу: ±0.6mT, Кернеу - жабдықтау: 1.8V ~ 10V,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Шығу түрі: I²C, Зондты сезу: ±0.6mT, Кернеу - жабдықтау: 1.62V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 60µA,