Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 15mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 11.5mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: PWM, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 16V, Ағым - жабдықтау (максимум): 19mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: PWM, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 18V, Ағым - жабдықтау (максимум): 16.5mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: PWM, Зондты сезу: ±35mT, Кернеу - жабдықтау: 3.75V ~ 9.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 16mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 12mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±100mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 6.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 4.5mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±300mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 8V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.2mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±100mT, Кернеу - жабдықтау: 4V ~ 6.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 4.5mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±80mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 8V, Ағым - жабдықтау (максимум): 4mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: I²C, Зондты сезу: ±50mT, Кернеу - жабдықтау: 2.5V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.5mA (Typ),
Технология: Magnetoresistive, Ось: Single, Шығу түрі: Wheatstone Bridge, Зондты сезу: 0.5mT ~ 3.5mT, Кернеу - жабдықтау: 1V ~ 24V,
Технология: Magnetoresistive, Ось: Single, Шығу түрі: Wheatstone Bridge, Зондты сезу: 0.15mT ~ 1.05mT, Кернеу - жабдықтау: 1V ~ 25V,
Технология: Magnetoresistive, Ось: Single, Шығу түрі: Wheatstone Bridge, Зондты сезу: 0.15mT ~ 0.75mT, Кернеу - жабдықтау: 1V ~ 12V,
Технология: Magnetoresistive, Ось: Single, Шығу түрі: Wheatstone Bridge, Зондты сезу: 1mT ~ 7mT, Кернеу - жабдықтау: 1V ~ 24V,
Технология: Magnetoresistive, Ось: Single, Шығу түрі: Wheatstone Bridge, Зондты сезу: 0.06mT ~ 0.3mT, Кернеу - жабдықтау: 1V ~ 12V,
Технология: Magnetoresistive, Ось: Single, Шығу түрі: Wheatstone Bridge, Зондты сезу: 0.15mT ~ 1.05mT, Кернеу - жабдықтау: 1V ~ 24V,
Технология: Magnetoresistive, Ось: Single, Шығу түрі: Wheatstone Bridge, Зондты сезу: 0.2mT ~ 1.4mT, Кернеу - жабдықтау: 1V ~ 24V,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: Unlimited, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 6V,