Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 11.5mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 15mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: PWM, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 12mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 3.63V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: I²C, Кернеу - жабдықтау: 2.65V ~ 3.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 5mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: PWM, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 18V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±40mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 9mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 2.5V ~ 3.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.2mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±37.5mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 9mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±80mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 8V, Ағым - жабдықтау (максимум): 4mA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C, SPI, Зондты сезу: 4.7mT ~ 5.2mT, Кернеу - жабдықтау: 1.7V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: Unlimited, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 6V,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Шығу түрі: I²C, Зондты сезу: 30mT ~ 120mT, Кернеу - жабдықтау: 2.7V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: I²C, Зондты сезу: ±50mT, Кернеу - жабдықтау: 2.5V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.5mA (Typ),
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C, Кернеу - жабдықтау: 1.7V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 300µA,
Технология: FlipCore, Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: SPI, Зондты сезу: ±1.3mT (X,Y), ±2.5mT (Z), Кернеу - жабдықтау: 1.2V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 20mA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 15mA,