Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Шығу түрі: PWM, Зондты сезу: ±1mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: Unlimited, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 6.5mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Open Drain, Зондты сезу: ±30mT ~ ±170mT, Кернеу - жабдықтау: 4.6V ~ 8.7V, Ағым - жабдықтау (максимум): 6.5mA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: Analog, PWM, Зондты сезу: 20mT ~ 70mT (X,Y), 24mT ~ 140mT (Z), Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 16mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: Unlimited, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 4.5mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±35mT, Кернеу - жабдықтау: 2.5V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±9mT, Кернеу - жабдықтау: 2.5V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±73mT, Кернеу - жабдықтау: 2.5V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±18mT, Кернеу - жабдықтау: 2.5V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: 0mT ~ 400mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 5.5mA,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: PWM,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Шығу түрі: I²C, Зондты сезу: ±0.2mT, Кернеу - жабдықтау: 2.5V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 9mA,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: Wheatstone Bridge, Зондты сезу: ±0.6mT, Кернеу - жабдықтау: 1.8V ~ 10V,
Технология: Magnetoresistive, Ось: Single, Шығу түрі: Wheatstone Bridge, Зондты сезу: ±0.6mT, Кернеу - жабдықтау: 2V ~ 25V,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C, Зондты сезу: ±0.6mT, Кернеу - жабдықтау: 2.5V ~ 3.3V, Ағым - жабдықтау (максимум): 80µA,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: Wheatstone Bridge, Зондты сезу: ±0.6mT, Кернеу - жабдықтау: 1.8V ~ 12V,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C, Зондты сезу: ±0.8mT, Кернеу - жабдықтау: 2.16V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 100µA (Typ),
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C, SPI, Зондты сезу: ±0.8mT, Кернеу - жабдықтау: 2.16V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 100µA (Typ),
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Шығу түрі: Wheatstone Bridge, Зондты сезу: ±0.6mT, Кернеу - жабдықтау: 1.8V ~ 20V,
Технология: Magnetoresistive, Ось: Single, Шығу түрі: Wheatstone Bridge, Зондты сезу: ±0.6mT, Кернеу - жабдықтау: 2V ~ 20V,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±67mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 12V, Ағым - жабдықтау (максимум): 11mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±50mT, Кернеу - жабдықтау: 6.6V ~ 12.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 30mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±10mT, Кернеу - жабдықтау: 6.6V ~ 12.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 30mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: SPI, Зондты сезу: ±20mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3mA,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 12V,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 5V ~ 9V,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 5V ~ 12V,
