Магниттік датчиктер - Сызықтық, компас (IC)

HMC1022-TR

Қоршаған бөлік: 81

Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Шығу түрі: Wheatstone Bridge, Зондты сезу: ±0.6mT, Кернеу - жабдықтау: 2V ~ 25V,

SS496A1-T3

Қоршаған бөлік: 37139

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±84mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 10.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8.7mA,

SS495B-T3

Қоршаған бөлік: 64444

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±67mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 10.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8.7mA,

SS494B-T2

Қоршаған бөлік: 43154

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±42mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 10.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8.7mA,

SS495A1-SP

Қоршаған бөлік: 33563

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±67mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 10.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8.7mA,

SS495A-T2

Қоршаған бөлік: 46558

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±67mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 10.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8.7mA,

SS495B-T2

Қоршаған бөлік: 63000

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±67mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 10.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8.7mA,

SS496A1-T2

Қоршаған бөлік: 37173

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±84mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 10.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8.7mA,

SS495A2-SP

Қоршаған бөлік: 50136

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±67mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 10.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8.7mA,

SS496A-SP

Қоршаған бөлік: 36368

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±84mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 10.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8.7mA,

SS495A1-T3

Қоршаған бөлік: 36175

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±67mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 10.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8.7mA,

SS494B-SP

Қоршаған бөлік: 41068

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±42mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 10.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8.7mA,

SS496A-S

Қоршаған бөлік: 36867

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±84mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 10.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8.7mA,

SS496B-S

Қоршаған бөлік: 59443

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±84mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 10.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8.7mA,

SS495A2-S

Қоршаған бөлік: 50119

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±67mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 10.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8.7mA,

SS496B-F

Қоршаған бөлік: 63574

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±84mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 10.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8.7mA,

RR111-1DC2-332

Қоршаған бөлік: 117

Технология: Magnetoresistive, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±1mT, Кернеу - жабдықтау: 2.7V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 2.7mA,

DRV5055A4QDBZT

Қоршаған бөлік: 94

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±169mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,

DRV5055A1QLPGM

Қоршаған бөлік: 112

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±21mT, ±22mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,

DRV5053EAQDBZR

Қоршаған бөлік: 151362

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±18mT, Кернеу - жабдықтау: 2.7V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,

DRV5053EAQDBZTQ1

Қоршаған бөлік: 157940

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±18mT, Кернеу - жабдықтау: 2.7V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,

DRV5053CAELPGMQ1

Қоршаған бөлік: 139156

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±35mT, Кернеу - жабдықтау: 2.7V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,

DRV5053OAELPGMQ1

Қоршаған бөлік: 139196

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±73mT, Кернеу - жабдықтау: 2.7V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,

DRV5053CAELPGQ1

Қоршаған бөлік: 152182

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±35mT, Кернеу - жабдықтау: 2.7V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,

DRV5053EAQLPGQ1

Қоршаған бөлік: 152183

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±18mT, Кернеу - жабдықтау: 2.7V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,

SI7210-B-03-IVR

Қоршаған бөлік: 67576

SI7210-B-01-IVR

Қоршаған бөлік: 62936

SI7215-B-00-IVR

Қоршаған бөлік: 62983

SI7210-B-02-IVR

Қоршаған бөлік: 67572

SI7213-B-00-IVR

Қоршаған бөлік: 62959

SI7210-B-00-IVR

Қоршаған бөлік: 62970

Технология: Hall Effect, Ось: Z, Шығу түрі: I²C, Зондты сезу: ±20mT, Кернеу - жабдықтау: 1.71V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8.5mA,

SI7216-B-00-IVR

Қоршаған бөлік: 62980

SI7217-B-01-IVR

Қоршаған бөлік: 62948

SI7214-B-00-IVR

Қоршаған бөлік: 62981

SI7211-B-00-IVR

Қоршаған бөлік: 62984

SI7210-B-01-IV

Қоршаған бөлік: 57246