Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Диодтар - түзеткіштер - жалғыз

  • Үй
  •  
  • Диодтар - түзеткіштер - жалғыз
BYG10D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-E3/TR

Қоршаған бөлік: 163646

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.15V @ 1.5A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BYS10-25-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-25-E3/TR

Қоршаған бөлік: 164701

Диод түрі: Schottky, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 25V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 500mV @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Тілектер тізімі
BYM12-200-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-200-E3/96

Қоршаған бөлік: 120803

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 50ns,

Тілектер тізімі
BYS10-45HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3_A/I

Қоршаған бөлік: 32260

Диод түрі: Schottky, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 45V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Тілектер тізімі
BAV20WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-HE3-08

Қоршаған бөлік: 152834

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 150V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 250mA (DC), Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.25V @ 200mA, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 50ns,

Тілектер тізімі
BAV20W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20W-HE3-08

Қоршаған бөлік: 179080

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 150V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 250mA (DC), Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.25V @ 200mA, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 50ns,

Тілектер тізімі
BAS16D-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16D-HE3-08

Қоршаған бөлік: 111335

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 75V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 250mA, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.25V @ 150mA, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 6ns,

Тілектер тізімі
BYS10-45-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45-E3/TR3

Қоршаған бөлік: 106669

Диод түрі: Schottky, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 45V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 500mV @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Тілектер тізімі
BAV302-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV302-TR

Қоршаған бөлік: 155089

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 150V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 250mA (DC), Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 100mA, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 50ns,

Тілектер тізімі
BAQ333-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ333-TR

Қоршаған бөлік: 142318

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 40V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 200mA, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 100mA, Жылдамдық: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Тілектер тізімі
BAT54W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54W-E3-08

Қоршаған бөлік: 170231

Диод түрі: Schottky, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 30V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 200mA (DC), Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 800mV @ 100mA, Жылдамдық: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 5ns,

Тілектер тізімі
BAS170WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-HE3-08

Қоршаған бөлік: 136941

Диод түрі: Schottky, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 70V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 70mA, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 15mA, Жылдамдық: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Тілектер тізімі
BYS10-35HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-35HE3_A/H

Қоршаған бөлік: 34922

Диод түрі: Schottky, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 35V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 500mV @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Тілектер тізімі
BYS10-45HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3_A/H

Қоршаған бөлік: 34902

Диод түрі: Schottky, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 45V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 500mV @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Тілектер тізімі
BA158-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA158-E3/54

Қоршаған бөлік: 101393

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 600V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.3V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 250ns,

Тілектер тізімі
B340LB-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B340LB-E3/52T

Қоршаған бөлік: 123083

Диод түрі: Schottky, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 40V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 3A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 450mV @ 3A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Тілектер тізімі
BYG20D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-E3/TR

Қоршаған бөлік: 116833

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.4V @ 1.5A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 75ns,

Тілектер тізімі
BYT62-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT62-TAP

Қоршаған бөлік: 158520

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 2400V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 350mA, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 3.6V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 5µs,

Тілектер тізімі
BYT54M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54M-TAP

Қоршаған бөлік: 193530

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1000V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.25A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.5V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 100ns,

Тілектер тізімі
BAV21-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21-TR

Қоршаған бөлік: 170950

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 250mA (DC), Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 100mA, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 50ns,

Тілектер тізімі
BYT52M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52M-TAP

Қоршаған бөлік: 122124

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1000V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.4A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.3V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 200ns,

Тілектер тізімі
BAW27-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW27-TAP

Қоршаған бөлік: 153002

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 60V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 600mA (DC), Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.25V @ 400mA, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 6ns,

Тілектер тізімі
BYW36-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW36-TR

Қоршаған бөлік: 121947

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 600V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 200ns,

Тілектер тізімі
BYV26D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26D-TAP

Қоршаған бөлік: 187035

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 800V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 2.5V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 75ns,

Тілектер тізімі
BY269TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY269TAP

Қоршаған бөлік: 129989

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1600V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.6V @ 3A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 2µs,

Тілектер тізімі
BYV26C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26C-TAP

Қоршаған бөлік: 171441

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 600V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 2.5V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 30ns,

Тілектер тізімі
BYW32-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW32-TR

Қоршаған бөлік: 152678

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 200ns,

Тілектер тізімі
BYV27-600-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-600-TAP

Қоршаған бөлік: 122331

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 600V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.35V @ 3A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 250ns,

Тілектер тізімі
BYW55-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW55-TAP

Қоршаған бөлік: 144972

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 800V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BYX86TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX86TAP

Қоршаған бөлік: 183532

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1000V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BAW27-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW27-TR

Қоршаған бөлік: 134544

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 60V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 600mA (DC), Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.25V @ 400mA, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 6ns,

Тілектер тізімі
BYV26B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26B-TAP

Қоршаған бөлік: 169957

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 400V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 2.5V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 30ns,

Тілектер тізімі
BYV38-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV38-TAP

Қоршаған бөлік: 177773

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1000V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 300ns,

Тілектер тізімі
BYV26D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26D-TR

Қоршаған бөлік: 121386

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 800V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 2.5V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 75ns,

Тілектер тізімі
BYV27-150-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-150-TAP

Қоршаған бөлік: 139081

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 165V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.07V @ 3A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 25ns,

Тілектер тізімі
BYV27-200-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-200-TAP

Қоршаған бөлік: 181381

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.07V @ 3A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 25ns,

Тілектер тізімі