Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Диодтар - түзеткіштер - жалғыз

  • Үй
  •  
  • Диодтар - түзеткіштер - жалғыз
BAV21WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21WS-G3-08

Қоршаған бөлік: 174085

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 250mA (DC), Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.25V @ 200mA, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 50ns,

Тілектер тізімі
BYG10Y-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10Y-M3/TR

Қоршаған бөлік: 113865

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1600V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.15V @ 1.5A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BYG21K-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-E3/TR

Қоршаған бөлік: 165220

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 800V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.6V @ 1.5A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 120ns,

Тілектер тізімі
BAS16D-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16D-E3-08

Қоршаған бөлік: 126850

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 75V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 250mA, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.25V @ 150mA, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 6ns,

Тілектер тізімі
BAT54W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54W-G3-08

Қоршаған бөлік: 125289

Диод түрі: Schottky, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 30V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 200mA (DC), Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 800mV @ 100mA, Жылдамдық: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 5ns,

Тілектер тізімі
BYM11-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-400-E3/97

Қоршаған бөлік: 128278

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 400V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.3V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 150ns,

Тілектер тізімі
BAV21WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21WS-HE3-18

Қоршаған бөлік: 143333

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 250mA (DC), Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.25V @ 200mA, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 50ns,

Тілектер тізімі
BAS281-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS281-GS08

Қоршаған бөлік: 182315

Диод түрі: Schottky, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 40V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 30mA, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 15mA, Жылдамдық: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Тілектер тізімі
BAS16WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16WS-HE3-18

Қоршаған бөлік: 192905

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 75V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 250mA, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.25V @ 150mA, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 6ns,

Тілектер тізімі
BYW36-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW36-TAP

Қоршаған бөлік: 135103

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 600V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 200ns,

Тілектер тізімі
BYM10-200-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-200-E3/97

Қоршаған бөлік: 138454

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Тілектер тізімі
BYM36E-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM36E-TAP

Қоршаған бөлік: 193769

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1000V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2.9A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.78V @ 3A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 150ns,

Тілектер тізімі
BYV28-600-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-600-TR

Қоршаған бөлік: 134642

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 600V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 3.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.35V @ 5A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 50ns,

Тілектер тізімі
BAS170WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-HE3-18

Қоршаған бөлік: 133505

Диод түрі: Schottky, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 70V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 70mA, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 15mA, Жылдамдық: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Тілектер тізімі
BAQ335-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ335-TR

Қоршаған бөлік: 190878

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 125V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 200mA, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 100mA, Жылдамдық: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Тілектер тізімі
BYV27-200-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-200-TR

Қоршаған бөлік: 153878

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 2A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.07V @ 3A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 25ns,

Тілектер тізімі
BAS83-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS83-GS08

Қоршаған бөлік: 115843

Диод түрі: Schottky, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 60V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 30mA (DC), Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 15mA, Жылдамдық: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Тілектер тізімі
BY228-15TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228-15TAP

Қоршаған бөлік: 193803

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 3A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.5V @ 5A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 2µs,

Тілектер тізімі
BAV21-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21-TAP

Қоршаған бөлік: 150982

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 250mA (DC), Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 100mA, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 50ns,

Тілектер тізімі
BYM10-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-400-E3/97

Қоршаған бөлік: 109607

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 400V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 1A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Тілектер тізімі
BAQ133-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ133-GS08

Қоршаған бөлік: 147679

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 30V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 200mA, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 100mA, Жылдамдық: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Тілектер тізімі
BAT54-02V-V-G-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54-02V-V-G-18

Қоршаған бөлік: 175247

Диод түрі: Schottky, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 30V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 200mA (DC), Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 800mV @ 100mA, Жылдамдық: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 5ns,

Тілектер тізімі
BAV301-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV301-TR

Қоршаған бөлік: 119517

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 100V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 250mA (DC), Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 100mA, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 50ns,

Тілектер тізімі
BAS20-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS20-E3-18

Қоршаған бөлік: 176831

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 150V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 200mA, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.25V @ 200mA, Жылдамдық: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 50ns,

Тілектер тізімі
BYV28-100-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-100-TAP

Қоршаған бөлік: 163502

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 100V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 3.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 5A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 30ns,

Тілектер тізімі
B360A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B360A-E3/61T

Қоршаған бөлік: 170389

Диод түрі: Schottky, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 60V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 3A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 720mV @ 3A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Тілектер тізімі
BYG10YHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10YHM3_A/H

Қоршаған бөлік: 23260

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1600V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A (DC), Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.15V @ 1.5A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі
BA157GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA157GP-E3/54

Қоршаған бөлік: 181076

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 400V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.3V @ 1A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 150ns,

Тілектер тізімі
BAS16WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16WS-G3-08

Қоршаған бөлік: 190132

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 75V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 250mA, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.25V @ 150mA, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 6ns,

Тілектер тізімі
BAV19WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19WS-HE3-08

Қоршаған бөлік: 102266

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 100V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 250mA (DC), Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.25V @ 200mA, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 50ns,

Тілектер тізімі
BAS21-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS21-E3-08

Қоршаған бөлік: 101367

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 200mA (DC), Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.25V @ 200mA, Жылдамдық: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 50ns,

Тілектер тізімі
BAV21W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21W-HE3-08

Қоршаған бөлік: 110111

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 250mA (DC), Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 100mA, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 50ns,

Тілектер тізімі
BAT46W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46W-G3-08

Қоршаған бөлік: 105403

Диод түрі: Schottky, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 100V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 150mA (DC), Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 250mA, Жылдамдық: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Тілектер тізімі
BAV100-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV100-GS08

Қоршаған бөлік: 115219

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 50V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 250mA (DC), Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1V @ 100mA, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 50ns,

Тілектер тізімі
BYT78-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT78-TAP

Қоршаған бөлік: 181219

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1000V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 3A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.2V @ 3A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 250ns,

Тілектер тізімі
BYG10G-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-E3/TR

Қоршаған бөлік: 136486

Диод түрі: Avalanche, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 400V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 1.5A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.15V @ 1.5A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 4µs,

Тілектер тізімі