Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз | Дискретті жартылай өткізгіш өнімдер | 100

SIHF8N50L-E3

Қоршаған бөлік: 9448

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 4A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

SI7445DP-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 9422

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 19A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRF1405ZTRL

Қоршаған бөлік: 9324

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 75A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

SI1050X-T1-E3

Қоршаған бөлік: 9342

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 8V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1.34A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86 mOhm @ 1.34A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

SUD50P04-13L-GE3

Қоршаған бөлік: 5637

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 30A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRF644NSTRR

Қоршаған бөлік: 9213

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 250V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 8.4A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRF840ASTRR

Қоршаған бөлік: 9078

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRF520STRL

Қоршаған бөлік: 8998

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 5.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRF9Z24STRL

Қоршаған бөлік: 5646

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 6.6A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFZ14L

Қоршаған бөлік: 9138

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 6A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRLZ44STRR

Қоршаған бөлік: 8989

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 31A, 5V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFI710G

Қоршаған бөлік: 5984

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 400V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta),

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFB9N30A

Қоршаған бөлік: 9119

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 300V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9.3A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 5.6A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFR1N60ATRL

Қоршаған бөлік: 9151

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 840mA, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFR9210TRR

Қоршаған бөлік: 5998

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1.9A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.1A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFI9520G

Қоршаған бөлік: 8974

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5.2A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.1A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRF740LCL

Қоршаған бөлік: 9071

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 400V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 6A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRF9530STRR

Қоршаған бөлік: 9009

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 7.2A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFS9N60ATRR

Қоршаған бөлік: 9054

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFR010

Қоршаған бөлік: 9137

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 50V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8.2A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFBC40AL

Қоршаған бөлік: 5988

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6.2A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFI9610G

Қоршаған бөлік: 9039

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.2A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFZ24STRR

Қоршаған бөлік: 9137

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFSL9N60ATRR

Қоршаған бөлік: 9118

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRF510L

Қоршаған бөлік: 9028

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 3.4A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFI624G

Қоршаған бөлік: 9131

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 250V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 2A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFI9640G

Қоршаған бөлік: 8954

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6.1A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 3.7A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRF9610STRL

Қоршаған бөлік: 9022

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 900mA, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRL630

Қоршаған бөлік: 6006

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 5.4A, 5V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRF737LCS

Қоршаған бөлік: 8995

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 300V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6.1A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 3.7A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFR014TRL

Қоршаған бөлік: 9029

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRF9Z24S

Қоршаған бөлік: 9145

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 6.6A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRF730ASTRL

Қоршаған бөлік: 8984

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 400V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFR9220TR

Қоршаған бөлік: 9114

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRF840STRL

Қоршаған бөлік: 9049

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRF720STRR

Қоршаған бөлік: 5940

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 400V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.3A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 2A, 10V,

Тілектер тізімі