Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз | Дискретті жартылай өткізгіш өнімдер | 100

IRFU020PBF

Қоршаған бөлік: 9680

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 8.4A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

SI1070X-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 121713

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 1.2A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

SI1031R-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 154874

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 140mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFD113

Қоршаған бөлік: 9527

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 800mA (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 800mA, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFI744GPBF

Қоршаған бөлік: 5618

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 450V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.9A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630 mOhm @ 2.9A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRF644NSPBF

Қоршаған бөлік: 9634

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 250V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 8.4A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRCZ34PBF

Қоршаған бөлік: 9620

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 18A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRF734PBF

Қоршаған бөлік: 9627

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 450V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.9A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.9A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRCZ24PBF

Қоршаған бөлік: 9629

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

SI7884BDP-T1-E3

Қоршаған бөлік: 47716

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 16A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFB17N60KPBF

Қоршаған бөлік: 9673

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRC830PBF

Қоршаған бөлік: 9676

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.7A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFP344PBF

Қоршаған бөлік: 9575

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 450V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630 mOhm @ 5.7A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFPS30N60KPBF

Қоршаған бөлік: 9647

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 18A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFP254NPBF

Қоршаған бөлік: 5956

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 250V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 14A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFD9120PBF

Қоршаған бөлік: 72595

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 600mA, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFR9220TRPBF

Қоршаған бөлік: 172352

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRF634SPBF

Қоршаған бөлік: 9632

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 250V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8.1A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 5.1A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFI734GPBF

Қоршаған бөлік: 9640

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 450V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFBC20LPBF

Қоршаған бөлік: 9695

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 Ohm @ 1.3A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

SI7884BDP-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 99346

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 16A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFZ30PBF

Қоршаған бөлік: 9592

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 50V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 16A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

SI7190DP-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 31617

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 250V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 18.4A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118 mOhm @ 4.4A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

SI7434DP-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 58897

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 250V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 3.8A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

SQJ850EP-T1_GE3

Қоршаған бөлік: 93756

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 10.3A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRF644NPBF

Қоршаған бөлік: 9608

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 250V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 8.4A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFIB8N50K

Қоршаған бөлік: 9549

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6.7A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 4A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFL110PBF

Қоршаған бөлік: 9727

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 900mA, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFPS29N60LPBF

Қоршаған бөлік: 9560

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 29A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 17A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRC540PBF

Қоршаған бөлік: 9658

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 17A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

SI7615DN-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 101187

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 20A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFIB5N50LPBF

Қоршаған бөлік: 9563

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.7A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.4A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

SI7129DN-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 166848

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4 mOhm @ 14.4A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRFP15N60LPBF

Қоршаған бөлік: 9591

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 9A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

SIA449DJ-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 199462

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6A, 10V,

Тілектер тізімі

Vishay Siliconix

IRC634PBF

Қоршаған бөлік: 9647

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 250V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8.1A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 4.9A, 10V,

Тілектер тізімі