Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Транзисторлар - биполярлық (BJT) - массивтер, алды

  • Үй
  •  
  • Транзисторлар - биполярлық (BJT) - массивтер, алды
RN2906,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2906,LF

Қоршаған бөлік: 138883

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN2908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2908(T5L,F,T)

Қоршаған бөлік: 1489

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN2901(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2901(T5L,F,T)

Қоршаған бөлік: 1507

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1970FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1970FE(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 1480

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN2603(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2603(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 181191

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN4903(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4903(T5L,F,T)

Қоршаған бөлік: 1463

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN2968FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2968FE(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 1523

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1968(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1968(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 134854

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN4982,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4982,LF(CT

Қоршаған бөлік: 158270

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN4606(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4606(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 9902

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1905(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1905(T5L,F,T)

Қоршаған бөлік: 1375

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1911FETE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1911FETE85LF

Қоршаған бөлік: 142375

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN4902FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4902FE(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 1489

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1908(T5L,F,T)

Қоршаған бөлік: 5402

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN2502(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2502(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 9911

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN2910(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2910(T5L,F,T)

Қоршаған бөлік: 1510

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN2706JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2706JE(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 185153

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN4986(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4986(T5L,F,T)

Қоршаған бөлік: 1620

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1968FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1968FE(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 3218

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN2902FE(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2902FE(T5L,F,T)

Қоршаған бөлік: 1475

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1607(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1607(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 116281

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN2712JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2712JE(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 178049

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1906FE(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1906FE(T5L,F,T)

Қоршаған бөлік: 1636

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1905,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1905,LF

Қоршаған бөлік: 1491

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1961FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1961FE(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 1446

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1910FE(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1910FE(T5L,F,T)

Қоршаған бөлік: 1466

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN4905T5LFT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4905T5LFT

Қоршаған бөлік: 3212

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN4904(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4904(T5L,F,T)

Қоршаған бөлік: 1532

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1501(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1501(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 179912

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN2971(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2971(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 187083

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN4610(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4610(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 196797

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN4990(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4990(T5L,F,T)

Қоршаған бөлік: 196989

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1909(T5L,F,T)

Қоршаған бөлік: 1368

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1967FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1967FE(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 1500

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN2713JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2713JE(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 125460

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN2966FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2966FE(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 3147

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі