Menu
ҚазақшаҚазақша
0RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Транзисторлар - биполярлы (BJT) - жалғыз, алдын-ал

  • Үй
  •  
  • Транзисторлар - биполярлы (BJT) - жалғыз, алдын-ал
RN2404TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2404TE85LF

Қоршаған бөлік: 1976

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1402S,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1402S,LF

Қоршаған бөлік: 1953

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN2104MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104MFV,L3F

Қоршаған бөлік: 1980

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN2402S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2402S,LF(D

Қоршаған бөлік: 1961

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN2106(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2106(T5L,F,T)

Қоршаған бөлік: 1986

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1104CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104CT(TPL3)

Қоршаған бөлік: 1925

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN2111CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2111CT(TPL3)

Қоршаған бөлік: 2043

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1105ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105ACT(TPL3)

Қоршаған бөлік: 1932

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 80mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1406S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1406S,LF(D

Қоршаған бөлік: 1944

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1108(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1108(T5L,F,T)

Қоршаған бөлік: 2027

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN2108ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2108ACT(TPL3)

Қоршаған бөлік: 1975

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 80mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1316,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1316,LF

Қоршаған бөлік: 199880

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN2113CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2113CT(TPL3)

Қоршаған бөлік: 1959

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1108ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1108ACT(TPL3)

Қоршаған бөлік: 1901

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 80mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN2112,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2112,LF(CT

Қоршаған бөлік: 9941

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN2103MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2103MFV,L3F

Қоршаған бөлік: 1966

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1103CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103CT(TPL3)

Қоршаған бөлік: 1955

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1413(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1413(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 169265

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1111ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111ACT(TPL3)

Қоршаған бөлік: 1945

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 80mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN2118(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2118(T5L,F,T)

Қоршаған бөлік: 1956

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1108CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1108CT(TPL3)

Қоршаған бөлік: 1979

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1106ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106ACT(TPL3)

Қоршаған бөлік: 2028

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 80mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN2102ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2102ACT(TPL3)

Қоршаған бөлік: 1977

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 80mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN2104CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104CT(TPL3)

Қоршаған бөлік: 1987

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1109CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109CT(TPL3)

Қоршаған бөлік: 1950

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN2104ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104ACT(TPL3)

Қоршаған бөлік: 2045

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 80mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN2103CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2103CT(TPL3)

Қоршаған бөлік: 3230

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1104ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104ACT(TPL3)

Қоршаған бөлік: 1956

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 80mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN2303(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2303(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 126325

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN2107ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2107ACT(TPL3)

Қоршаған бөлік: 2063

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 80mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1441ATE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1441ATE85LF

Қоршаған бөлік: 176769

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 300mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Резистор - негіз (R1): 5.6 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Тілектер тізімі
RN2108CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2108CT(TPL3)

Қоршаған бөлік: 2026

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1101ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101ACT(TPL3)

Қоршаған бөлік: 1962

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 80mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1102MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102MFV,L3F

Қоршаған бөлік: 120698

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1414,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1414,LF

Қоршаған бөлік: 112225

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 1 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN2313(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2313(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 163677

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі