Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Оптоизоляторлар - транзистор, фотоэлектрлік шығу

  • Үй
  •  
  • Оптоизоляторлар - транзистор, фотоэлектрлік шығу
MCT2103SD
ON Semiconductor

MCT2103SD

Қоршаған бөлік: 5382

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 150% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 1µs, 50µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1µs, 11µs,

Тілектер тізімі
CNY174TM
ON Semiconductor

CNY174TM

Қоршаған бөлік: 2577

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 4170Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 160% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 320% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3.5µs (Max),

Тілектер тізімі
HMA121ER1V
ON Semiconductor

HMA121ER1V

Қоршаған бөлік: 5423

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 150% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 300% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 3µs,

Тілектер тізімі
H11A8173SD
ON Semiconductor

H11A8173SD

Қоршаған бөлік: 5443

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 600% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 2.4µs, 2.4µs,

Тілектер тізімі
H11F3SD
ON Semiconductor

H11F3SD

Қоршаған бөлік: 5338

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Қосу / өшіру уақыты (типі): 25µs, 25µs (Max),

Тілектер тізімі
H11G13SD
ON Semiconductor

H11G13SD

Қоршаған бөлік: 5484

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 1000% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 100µs,

Тілектер тізімі
FOD2742A
ON Semiconductor

FOD2742A

Қоршаған бөлік: 5286

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 200% @ 10mA,

Тілектер тізімі
SL5511SD
ON Semiconductor

SL5511SD

Қоршаған бөлік: 5278

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 25% @ 2mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 20µs, 50µs (Max),

Тілектер тізімі
MOC8111
ON Semiconductor

MOC8111

Қоршаған бөлік: 5404

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 3µs, 18µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 2µs, 11µs,

Тілектер тізімі
MCT2E3S
ON Semiconductor

MCT2E3S

Қоршаған бөлік: 5346

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 1.1µs, 50µs,

Тілектер тізімі
FOD617D3SD
ON Semiconductor

FOD617D3SD

Қоршаған бөлік: 5497

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 160% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 320% @ 10mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 4µs, 3µs,

Тілектер тізімі
HMA121BR3V
ON Semiconductor

HMA121BR3V

Қоршаған бөлік: 5414

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 150% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 3µs,

Тілектер тізімі
MOC8105SD
ON Semiconductor

MOC8105SD

Қоршаған бөлік: 2556

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 65% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 133% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1µs, 2µs,

Тілектер тізімі
H11AG3300W
ON Semiconductor

H11AG3300W

Қоршаған бөлік: 2540

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 1mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 5µs,

Тілектер тізімі
HMA121FR4V
ON Semiconductor

HMA121FR4V

Қоршаған бөлік: 5459

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 600% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 3µs,

Тілектер тізімі
HMA121AR1V
ON Semiconductor

HMA121AR1V

Қоршаған бөлік: 2582

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 300% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 3µs,

Тілектер тізімі
H11AA2TVM
ON Semiconductor

H11AA2TVM

Қоршаған бөлік: 5336

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 10% @ 10mA,

Тілектер тізімі
H11F13SD
ON Semiconductor

H11F13SD

Қоршаған бөлік: 5395

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Қосу / өшіру уақыты (типі): 25µs, 25µs (Max),

Тілектер тізімі
MCT2SD
ON Semiconductor

MCT2SD

Қоршаған бөлік: 2567

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
MOC8106
ON Semiconductor

MOC8106

Қоршаған бөлік: 5293

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 150% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1µs, 2µs,

Тілектер тізімі
HCPL4502W
ON Semiconductor

HCPL4502W

Қоршаған бөлік: 5326

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 19% @ 16mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 50% @ 16mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 450ns, 300ns,

Тілектер тізімі
MOC223R1M
ON Semiconductor

MOC223R1M

Қоршаған бөлік: 5418

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 500% @ 1mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 3.5µs, 95µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1µs, 2µs,

Тілектер тізімі
MOC8100M
ON Semiconductor

MOC8100M

Қоршаған бөлік: 5523

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 30% @ 1mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 20µs, 20µs (Max), Көтерілу / құлау уақыты (типі): 2µs, 2µs,

Тілектер тізімі
MOC215R1VM
ON Semiconductor

MOC215R1VM

Қоршаған бөлік: 5312

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 2500Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 1mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 4µs, 4µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 3µs,

Тілектер тізімі
MCT2FR2M
ON Semiconductor

MCT2FR2M

Қоршаған бөлік: 5501

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 7500Vpk, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 2µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 2µs, 1.5µs,

Тілектер тізімі
CNY17F13SD
ON Semiconductor

CNY17F13SD

Қоршаған бөлік: 5377

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 40% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 80% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1µs, 2µs,

Тілектер тізімі
H11A617A300W
ON Semiconductor

H11A617A300W

Қоршаған бөлік: 5476

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 40% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 80% @ 10mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 2.4µs, 2.4µs,

Тілектер тізімі
CNY1743S
ON Semiconductor

CNY1743S

Қоршаған бөлік: 5296

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 160% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 320% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1µs, 2µs,

Тілектер тізімі
FODM121BR1
ON Semiconductor

FODM121BR1

Қоршаған бөлік: 5420

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 3750Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 50% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 150% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 3µs, 3µs,

Тілектер тізімі
H24B1
ON Semiconductor

H24B1

Қоршаған бөлік: 5338

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 1000% @ 5mA,

Тілектер тізімі
H11D3SD
ON Semiconductor

H11D3SD

Қоршаған бөлік: 5510

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 20% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 5µs, 5µs,

Тілектер тізімі
FOD2711S
ON Semiconductor

FOD2711S

Қоршаған бөлік: 5490

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5000Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 100% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 200% @ 10mA,

Тілектер тізімі
CNX48U3S
ON Semiconductor

CNX48U3S

Қоршаған бөлік: 5424

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 350% @ 500µA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 3.5µs, 36µs,

Тілектер тізімі
H11A817B
ON Semiconductor

H11A817B

Қоршаған бөлік: 5408

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 130% @ 5mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 260% @ 5mA, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 2.4µs, 2.4µs,

Тілектер тізімі
MCT52113SD
ON Semiconductor

MCT52113SD

Қоршаған бөлік: 5410

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 150% @ 1.6mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 14µs, 2.5µs,

Тілектер тізімі
CNY171300W
ON Semiconductor

CNY171300W

Қоршаған бөлік: 5340

Арналар саны: 1, Кернеу - оқшаулау: 5300Vrms, Ағымдағы аударым коэффициенті (мин.): 40% @ 10mA, Ағымдағы аударым коэффициенті (максимум): 80% @ 10mA, Қосу / өшіру уақыты (типі): 2µs, 3µs, Көтерілу / құлау уақыты (типі): 1µs, 2µs,

Тілектер тізімі